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格棋：以碳化矽为核心 打造台湾第三类半导体新战略地位 (2025.09.02)
随着电动车、AI伺服器与储能系统等高功率应用需求持续升温，第三类半导体材料碳化矽（SiC）已成为能源转换效率提升的关键核心。面对全球市场快速变化，格棋化合物半导体董事长张忠杰指出，虽然短期仍存在终端调整与库存去化压力，但碳化矽的长期前景无庸置疑，正进入以「品质、效率与供应安全」为主轴的新一轮成长周期 |
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格棋：以碳化矽为核心 打造台湾第三类半导体新战略地位 (2025.09.02)
随着电动车、AI伺服器与储能系统等高功率应用需求持续升温，第三类半导体材料碳化矽（SiC）已成为能源转换效率提升的关键核心。面对全球市场快速变化，格棋化合物半导体董事长张忠杰指出，虽然短期仍存在终端调整与库存去化压力，但碳化矽的长期前景无庸置疑，正进入以「品质、效率与供应安全」为主轴的新一轮成长周期 |
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筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）携手美商泰瑞达（Teradyne）近日举办年度压轴「化合物半导体与矽光子技术研讨会」。本次活动由国立阳明交通大学、中原大学电子工程学系共同主办，打造产官学交流平台 |
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筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）携手美商泰瑞达（Teradyne）近日举办年度压轴「化合物半导体与矽光子技术研讨会」。本次活动由国立阳明交通大学、中原大学电子工程学系共同主办，打造产官学交流平台 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
(圖一)UAES??总经理 郭晓麇（右）、
ROHM执行董事 功率元件事业本部 本部长 野间 亚树（左）
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20)
电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋，激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求，安森美采取了战略举措，宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20)
电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋，激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求，安森美采取了战略举措，宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
