账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年10月23日 星期三

浏览人次:【950】

格棋化合物半导体中坜新厂落成,同时宣布与国家中山科学研究院(中科院)合作,双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外,格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议,双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局。

格棋化合物半导体技术长叶国伟、董事长张忠杰、??总经理赖柏帆
格棋化合物半导体技术长叶国伟、董事长张忠杰、??总经理赖柏帆

格棋成立於2022年,专注於化合物半导体长晶等第三代化合物半导体的工艺技术开发。研发团队成员在化合物半导体领域拥有丰富经验。格棋中坜新厂总投资金额达新台币6亿元,预计2024年第四季达到满产。其中6寸碳化矽晶片月产能可达5,000片,至2024年底,新厂将安装20台8寸长晶炉及100台6寸长晶炉,大幅提升整体产能。除此之外,新厂还可提供超过50个就业机会。因应全球ESG趋势,格棋中坜新厂规划导入能源管理系统及储能系统,并整合再生能源系统,透过削峰填谷方式平衡能源需求,减少高峰时段的能源负荷,进一步降低能源成本及碳排放。

關鍵字: SiC  GaN  宽能隙半导体  化合物半导体  格棋化合物半导体 
相关新闻
筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC
ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
» 光通讯成长态势明确 讯号完整性一测定江山
» 分众显示与其控制技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP5ST472STACUKN
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw