格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局。

图一 : 格棋化合物半导体技术长叶国伟、董事长张忠杰、??总经理赖柏帆

格棋成立於2022年，专注於化合物半导体长晶等第三代化合物半导体的工艺技术开发。研发团队成员在化合物半导体领域拥有丰富经验。格棋中坜新厂总投资金额达新台币6亿元，预计2024年第四季达到满产。其中6寸碳化矽晶片月产能可达5,000片，至2024年底，新厂将安装20台8寸长晶炉及100台6寸长晶炉，大幅提升整体产能。除此之外，新厂还可提供超过50个就业机会。因应全球ESG趋势，格棋中坜新厂规划导入能源管理系统及储能系统，并整合再生能源系统，透过削峰填谷方式平衡能源需求，减少高峰时段的能源负荷，进一步降低能源成本及碳排放。