随着电动车、AI伺服器与储能系统等高功率应用需求持续升温，第三类半导体材料碳化矽（SiC）已成为能源转换效率提升的关键核心。面对全球市场快速变化，格棋化合物半导体董事长张忠杰指出，虽然短期仍存在终端调整与库存去化压力，但碳化矽的长期前景无庸置疑，正进入以「品质、效率与供应安全」为主轴的新一轮成长周期。

图一 : (左起)格棋化合物半导体业务处长吴义章、董事长张忠杰、人资长赖雅玲

张忠杰强调，格棋作为台湾少数具备自主长晶与制程能力的业者，将於今年第四季正式登录兴柜，藉此推进资本与技术的双重布局。他表示：「碳化矽并非快速爆发的市场，而是仰赖长期技术壁垒与应用黏着度。格棋的目标，就是要在这个关键材料链中建立稳固而有韧性的地位。」

根据Yole Group最新《Power SiC 2025》报告，2030年全球碳化矽功率元件市场将突破103亿美元，年均复合成长率达20%以上。报告显示，6寸晶圆仍是现阶段主流平台，并在价格与良率上具备成熟优势；而8寸晶圆则将在未来数年逐步放量，与6寸长期并存。

对此，张忠杰表示，格棋目前仍以6寸平台作为量产主轴，确保规模效益与成本优势；同时，公司已完成8寸晶种长晶与热场模组设计的前期验证，将依据客户产品世代与应用需求，适时导入。「我们的双平台布局，能让国际客户同时拥有稳健与前瞻的选择，这是格棋的核心竞争力之一。」

格棋近年积极投入自主设备与制程开发，建立完整的垂直整合体系，涵盖长晶、晶棒加工到晶圆出货。张忠杰指出，公司聚焦於四大技术核心：原材料物性控管、籽晶沾黏精度、热场叁数设计与模组结构稳定性。透过这些优化，格棋有效降低结晶缺陷密度，提升导电稳定性与良率，达到国际一线水准。

在产能扩充上，格棋预计於2025年底前将长晶炉数量提升至百台规模，搭配自主切割与检测能力，确保交期可控与弹性扩产。目前产品已涵盖电动车主驱模组、光储逆变器与AI伺服器等应用，并陆续进入国际客户验证。

面对地缘政治与供应链重组挑战，格棋导入「虚拟IDM」模式，从原料来源、长晶到设计验证，整合上下游合作夥伴，提供一站式材料与模组服务。张忠杰表示，这不仅能提升交期掌控力，也能因应不同区域客户的在地需求，提供即时支援与技术配套。

目前，格棋已启动北美、日本与欧洲的合作计画，未来将依业务拓展进度设立技术据点，加速碳化矽在高功率应用领域的落地。

展??未来，张忠杰认为，全球碳化矽竞争正进入新的关键期。格棋将透过持续的制程深化与国际链结，推动台湾第三类半导体的产业升级。

「兴柜对我们来说，不只是资本操作，而是向市场展现我们的技术透明度与营运信心。」张忠杰说。透过兴柜，格棋将进一步加大研发投入与产能扩张，建立起技术与资本的良性循环，并为台湾在全球碳化矽材料链中打造更具战略价值的位置。