无线通讯技术即将从5G迈向6G，频谱资源的开发已从毫米波（mmWave）进一步延伸至太赫兹（THz）频段。太赫兹波通常定义为0.1至10THz之间的电磁波，其位於微波与红外线之间，不仅具备极其宽广的可用频宽，还拥有独特的穿透性与空间解析度。

对於6G而言，太赫兹技术是实现每秒兆位元（Tbps）数据传输速率、全息通讯、高精度感测以及智慧反射空间的核心使能技术。然而，随着频率攀升至次太赫兹（sub-THz）乃至太赫兹领域，传统基於矽（Silicon）的互补金属氧化物半导体（CMOS）技术在输出功率、杂讯系数以及截止频率等方面已达物理极限。

在这种背景下，化合物半导体，特别是磷化??（InP）与氮化??（GaN），凭藉其优越的电子输送特性与功率处理能力，成为太赫兹前端电路（Front-end）开发的核心技术材料。
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