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恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8% |
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恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化??可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8% |
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ST车规GaN产品新系列 整合车载充电器、自驾LiDAR等智慧电路 (2021.05.26)
意法半导体（ST）推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化??（GaN）解决方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解决方案内整合功率级和智慧电路，满足汽车电动化趋势下的创新需求。
(圖一)意法半导体推出高性能车规级GaN产品系列 |
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ST全新车规GaN产品系列 整合车载充电器、自驾LiDAR等智慧电路 (2021.05.26)
意法半导体（ST）推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化??（GaN）解决方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解决方案内整合功率级和智慧电路，满足汽车电动化趋势下的创新需求。
透过意法半导体於车用电子应用研发的丰富经验、在智慧功率技术、宽能隙半导体材料和封装技术的优势和创新成果 |
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PI推新款GaN返驰式切换开关IC 用於超小型行动充电器 (2021.05.25)
节能型电源转换高压IC大厂Power Integrations（PI）今日宣布推出InnoSwitch 4-CZ系列的高频率、零电压切换(ZVS)返驰式切换开关IC。InnoSwitch4-CZ装置结合了采用Power Integrations PowiGaN技术的750V主开关和高频主动箝位返驰式控制器，适用於手机、平板电脑和笔记型电脑的超小型充电器 |
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PI推新款GaN返驰式切换开关IC 用於超小型行动充电器 (2021.05.25)
节能型电源转换高压IC大厂Power Integrations（PI）今日宣布推出InnoSwitch 4-CZ系列的高频率、零电压切换(ZVS)返驰式切换开关IC。InnoSwitch4-CZ装置结合了采用Power Integrations PowiGaN技术的750V主开关和高频主动箝位返驰式控制器，适用於手机、平板电脑和笔记型电脑的超小型充电器 |
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是德推出客制化GaN测试板 加速动态功率元件分析仪效率 (2021.05.11)
网路连接与安全创新技术商是德科技（Keysight Technologies Inc. ）宣布推出客制化氮化??（GaN）测试板，适用於是德科技旗下的动态功率元件分析仪/双脉冲测试仪（PD1500A），可协助供应商和OEM功率转换器设计人员，缩短原型开发周期，并加快让新产品问市 |
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是德推出客制化GaN测试板 加速动态功率元件分析仪效率 (2021.05.11)
网路连接与安全创新技术商是德科技（Keysight Technologies Inc. ）宣布推出客制化氮化??（GaN）测试板，适用於是德科技旗下的动态功率元件分析仪/双脉冲测试仪（PD1500A），可协助供应商和OEM功率转换器设计人员，缩短原型开发周期，并加快让新产品问市 |
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英飞凌发表 30 W- 500 W 功率级应用的 CoolGaN IPS 系列产品 (2021.05.06)
采用氮化?? (GaN) 这类宽能隙 (WBG) 材料制成的功率开关凭藉其优异效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。因应此一发展，英飞凌科技推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN IPS 系列，成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品 |
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英飞凌发表 30 W- 500 W 功率级应用的 CoolGaN IPS 系列产品 (2021.05.06)
采用氮化?? (GaN) 这类宽能隙 (WBG) 材料制成的功率开关凭藉其优异效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。因应此一发展，英飞凌科技推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN IPS 系列，成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品 |
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ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换 (2021.04.29)
半导体供应商意法半导体（ST）推出新MasterGaN4，其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??（GaN）功率电晶体，以及优化的闸极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计 |
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ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换 (2021.04.29)
半导体供应商意法半导体（ST）推出新MasterGaN4，其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??（GaN）功率电晶体，以及优化的闸极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计 |
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先进半导体产业技术及发展应用研讨会 (2021.04.22)
即日起网路报名至4月16日(四)止，额满截止，逾期恕不受理现场报名；本研讨会开放免费报名。 |
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ROHM成功研发150V GaN元件技术 提升闸极耐压至8V (2021.04.14)
半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。
近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点 |
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ROHM研发出150V GaN独创结构 将闸极耐压提升至8V (2021.04.14)
半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。
(圖一)ROHM利用独创结构，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V，有效解决工控装置和通讯装置等电源电路的可靠性问题 |
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TrendForce：第三代半导体成长强劲 GaN产值年增90.6% (2021.03.11)
根据TrendForce调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使年增率持续受到压抑。然受惠於车用、工业与通讯需求??注，2021年第三代半导体成长动能有??高速回升 |
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TrendForce：第三代半导体成长强劲 GaN产值年增90.6% (2021.03.11)
根据TrendForce调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使年增率持续受到压抑。然受惠於车用、工业与通讯需求??注，2021年第三代半导体成长动能有??高速回升 |
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英飞凌推出全新CoolGaN产品 大幅提升5G通讯设施的电源效率 (2021.03.11)
数位化持续加速，新冠疫情更加催化了线上协作的积极发展，使得最先进的高效能通讯基础架构更显重要。为了满足与该应用的相关需求，英飞凌科技推出CoolGaN产品，助力通讯电源供应系统提供极致效率与可靠度 |
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英飞凌推出全新CoolGaN产品 大幅提升5G通讯电源效率 (2021.03.11)
数位化持续加速，新冠疫情更加催化了线上协作的积极发展，使得最先进的高效能通讯基础架构更显重要。为了满足与该应用的相关需求，英飞凌科技推出CoolGaN产品，助力通讯电源供应系统提供极致效率与可靠度 |
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2021嵌入式线上展会 安森美半导体展示预整合的博世物联网套组 (2021.03.03)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布将於全球最大嵌入式展Embedded World 2021 DIGITAL展示共21个产品，提供独特的观展体验，帮助展览成功举办。安森美半导体将重点介绍最新推出的产品，及一个完整的感测器到云端方案 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
