ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换

半导体供应商意法半导体（ST）推出新MasterGaN4，其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??（GaN）功率电晶体，以及优化的闸极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计。

图一 : 意法半导体推出新款MasterGaN4元件，实现高达200瓦的高效能功率转换。

MasterGaN4是意法半导体MasterGaN系列的最新产品，解决了复杂的闸极控制和电路配置挑战，并进一步简化了宽能隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接与控制器连线，例如，霍尔效应感测器或微控制器、DSP处理器、FPGA可程式设计元件等CMOS晶片。

GaN电晶体的优势包括出色的开关性能、更高的运作频率、更高效能效，而且发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性元件和散热器，以设计出更小、更轻的电源、充电器和转接头。MasterGaN4非常适用於对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式转换器。
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