半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。

ROHM利用独创结构，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V，有效解决工控装置和通讯装置等电源电路的可靠性问题。

近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点。ROHM持续研发与量产先进的SiC元件和其他具优势的矽元件，在中等耐压范围，更开发了具备出色高频性能的GaN元件。本次ROHM就现有GaN元件长期存在的课题，研发出可以提高闸极-源极额定电压的技术，为各类应用提供更广泛的电源解决方案。

GaN元件比矽元件拥有更低的导通电阻值和更隹的高速开关性能，有助於降低开关电源功耗及装置小型化，所以基地台和资料中心设备对GaN寄予厚??。但是一般耐压200V以下的GaN元件闸极驱动电压为5V，而其闸极-源极额定电压为6V，电压馀量仅有1V，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压。一旦超过元件的额定电压，就可能会产生劣化和损坏等可靠性问题，这也成为阻碍GaN元件普及的重大瓶颈。

ROHM利用独创结构，成功将闸极-源极额定电压从6V提高至业界顶级的8V，使元件工作时的电压馀量达到一般产品的三倍，采用高效率GaN元件的电源电路设计，因此将能提升可靠性。

此外，ROHM更针对此技术研发出专用封装，不仅透过采用铜片键合封装技术，使寄生电感值比传统封装降低了55％，彻底发挥元件性能，甚至在设计高频工作电路时，可以更大程度地发挥出元件性能。产品也能更易於安装在电路板上，通用性更高，散热性也更出色，让现有矽元件的替换和安装制程操作上更加轻松。

新款GaN元件不仅提高了闸极-源极额定电压，还采用了低电感封装，能更大程度地发挥元件性能，与矽元件相比，开关损耗可减少约65％。其应用范围广泛，包含资料中心和基地台等48V输入降压转换器电路、基地台功率放大器装置的升压转换器电路、D类音讯放大器、LiDAR驱动电路以及携带式装置的无线充电电路等。

ROHM表示未来将加快GaN元件的研发速度，预计於2021年9月即可开始提供样品。