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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10) 意法半导体(STMicroelectronics;ST)新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大,上下桥输出讯号传播延迟为45ns,能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V,还适用于驱动N沟道矽基MOSFET,在驱动GaN元件时,可以灵活地施加最高6V闸极-源极电压(Gate-Source Voltage;VGS),确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准 |
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英飞凌携手Panasonic 共同加速650 V GaN功率装置技术发展 (2021.09.06) 英飞凌科技和 Panasonic 公司,已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化镓 (GaN) 技术签订合约,基于已获认可接受的GaN技术,Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。
为了因应市场需求,Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT |
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联华电子与颀邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06) 联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及颀邦科技董事会今日分别通过股份交换案,联华电子及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务,为IC产业各项应用产品生产晶片,并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案,以符合客户的晶片设计需求,所提供方案横跨14奈米到0 |
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新能源车需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR达78% (2021.09.05) TrendForce表示,2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,驱使如基地台、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增,使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲 |
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盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31) 盛美半导体设备发布了新产品—Ultra ECP GIII电镀设备,以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金(Au)镀到背面深孔制程中,具有更好的均匀性和台阶覆盖率 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26) 安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协定,根据该协定,安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年,在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
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边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15) 全球的数据量正在加速爆走中,尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之后,各种机器与设备的资料和数据,就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中,直接推升了各个领域对于伺服器的建置需求 |
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意法半导体制造首批8吋碳化矽晶圆 (2021.08.13) 意法半导体(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圆,这些晶圆将用于生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14) 科锐 (Cree, Inc.,)宣布,与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作,结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器,和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的无线容量,可支援更多人同时使用,并且提高了资料传输速度 |
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恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组 (2021.07.07) 降低能源消耗(energy consumption)为电信基础设施的主要目标之一,其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%,比公司上一代模组高出8% |
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ST全新车规GaN产品系列 整合车载充电器、自驾LiDAR等智慧电路 (2021.05.26) 意法半导体(ST)推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化??(GaN)解决方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解决方案内整合功率级和智慧电路,满足汽车电动化趋势下的创新需求。
透过意法半导体於车用电子应用研发的丰富经验、在智慧功率技术、宽能隙半导体材料和封装技术的优势和创新成果 |
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PI推新款GaN返驰式切换开关IC 用於超小型行动充电器 (2021.05.25) 节能型电源转换高压IC大厂Power Integrations(PI)今日宣布推出InnoSwitch 4-CZ系列的高频率、零电压切换(ZVS)返驰式切换开关IC。InnoSwitch4-CZ装置结合了采用Power Integrations PowiGaN技术的750V主开关和高频主动箝位返驰式控制器,适用於手机、平板电脑和笔记型电脑的超小型充电器 |
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是德推出客制化GaN测试板 加速动态功率元件分析仪效率 (2021.05.11) 网路连接与安全创新技术商是德科技(Keysight Technologies Inc. )宣布推出客制化氮化??(GaN)测试板,适用於是德科技旗下的动态功率元件分析仪/双脉冲测试仪(PD1500A),可协助供应商和OEM功率转换器设计人员,缩短原型开发周期,并加快让新产品问市 |
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英飞凌发表 30 W- 500 W 功率级应用的 CoolGaN IPS 系列产品 (2021.05.06) 采用氮化?? (GaN) 这类宽能隙 (WBG) 材料制成的功率开关凭藉其优异效率及高速切换频率,开启了功率电子的新时代。因应此一发展,英飞凌科技推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN IPS 系列,成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品 |
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ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换 (2021.04.29) 半导体供应商意法半导体(ST)推出新MasterGaN4,其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??(GaN)功率电晶体,以及优化的闸极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计 |
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先进半导体产业技术及发展应用研讨会 (2021.04.22) 即日起网路报名至4月16日(四)止,额满截止,逾期恕不受理现场报名;本研讨会开放免费报名。 |
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ROHM成功研发150V GaN元件技术 提升闸极耐压至8V (2021.04.14) 半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路,将150V GaN HEMT(GaN元件)的闸极耐压(闸极-源极额定电压)提升至8V。
近年来,在伺服器系统等设备中,由於IoT装置的需求日益增长,功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点 |
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TrendForce:第三代半导体成长强劲 GaN产值年增90.6% (2021.03.11) 根据TrendForce调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使年增率持续受到压抑。然受惠於车用、工业与通讯需求??注,2021年第三代半导体成长动能有??高速回升 |
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英飞凌推出全新CoolGaN产品 大幅提升5G通讯电源效率 (2021.03.11) 数位化持续加速,新冠疫情更加催化了线上协作的积极发展,使得最先进的高效能通讯基础架构更显重要。为了满足与该应用的相关需求,英飞凌科技推出CoolGaN产品,助力通讯电源供应系统提供极致效率与可靠度 |
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2021嵌入式线上展会 安森美半导体展示预整合的博世物联网套组 (2021.03.03) 安森美半导体(ON Semiconductor)宣布将於全球最大嵌入式展Embedded World 2021 DIGITAL展示共21个产品,提供独特的观展体验,帮助展览成功举办。安森美半导体将重点介绍最新推出的产品,及一个完整的感测器到云端方案 |