降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8%。恩智浦半导体（NXP Semiconductors）将整合氮化镓（GaN）技术至恩智浦多晶片模组平台，此为5G效能领域的重要产业里程碑。恩智浦位于美国亚利桑那州的氮化镓晶圆厂为美国专门制造射频功率放大器最先进的晶圆厂，基于对该晶圆厂的投资，恩智浦率先推出5G大规模MIMO射频解决方案，该解决方案结合了氮化镓的高效率与多晶片模组的紧凑性。

恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组，实现高效能行动网路。

恩智浦透过在单个装置中采用专利组合LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化镓技术，进而提高效能，可提供400 MHz的瞬时频宽，仅用一个功率放大器即可完成宽频射频设计。

恩智浦小尺寸5G多晶片模组现在可实现上述能源效率和宽频效能。全新产品组合将使射频开发人员减少无线电单元的尺寸和重量，帮助行动网路营运商降低在蜂窝式基地台和屋顶部署5G的成本。在单个封装中，模组整合了多级（multi-stage）传输链（transmit chain）、50欧姆（ohm）输入／输出匹配网路和Doherty设计。恩智浦现在使用其最新SiGe技术添加偏压控制，该全新整合步骤实现无需再使用单独的模拟控制IC，即可对功率放大器效能提供更严密的监控和最佳化。

如同上一代模组，全新装置均为引脚相容。射频工程师可以在多个频段和功率等级扩展单个功率放大器设计，缩短设计周期时间，进而在全球加速推出5G。