ROHM研发出150V GaN独创结构 将闸极耐压提升至8V

半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。

图一 : ROHM利用独创结构，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V，有效解决工控装置和通讯装置等电源电路的可靠性问题。

近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点。ROHM持续研发与量产先进的SiC元件和其他具优势的矽元件，在中等耐压范围，更开发了具备出色高频性能的GaN元件。本次ROHM就现有GaN元件长期存在的课题，研发出可以提高闸极-源极额定电压的技术，为各类应用提供更广泛的电源解决方案。

GaN元件比矽元件拥有更低的导通电阻值和更隹的高速开关性能，有助於降低开关电源功耗及装置小型化，所以基地台和资料中心设备对GaN寄予厚??。但是一般耐压200V以下的GaN元件闸极驱动电压为5V，而其闸极-源极额定电压为6V，电压馀量仅有1V，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压。一旦超过元件的额定电压，就可能会产生劣化和损坏等可靠性问题，这也成为阻碍GaN元件普及的重大瓶颈。
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