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AMD著手研發三閘電晶體 (2003.09.21)
根據CNET網站報導，AMD日前發表一個實驗性的「三閘極」（3 gates）電晶體，希望為晶片找到一種既可提高效能又可省電的方法。在東京召開的國際固態電子零件及材料大會（International Conference on Solid State Devices and Materials）上，AMD討論了這項還在構思但尚未實現的電晶體技術，希望這種技術能夠解決未來晶片設計的困難 |
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AMD成功開發新一代電晶體技術 (2003.06.17)
美商超微半導體 (AMD) 的研發人員日前在日本京都舉行的積體電路研討會上詳細介紹多種目前最高效能的電晶體。由於電晶體是未來新一代微處理器設計的基礎，因此電晶體的開關速度越快，為客戶提供的解決方案效能也會越高 |
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AMD發表電晶體新技術 (2003.04.03)
美商超微半導體(AMD)日前表示，該公司的研發人員已開發一種高效能的電晶體，其效能比目前的高效能P通道金屬氧化半導體(PMOS)高30%，AMD計劃在今年6月全面公佈這項研究的實驗結果 |
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AMD 發表電晶體及記憶體儲存格架構的突破性研究成果 (2002.12.13)
美商超微半導體(AMD) 將會在今年12月8日至11日在美國舊金山舉行的國際電子技術會議(IEDM) 上公佈多項對開發新一代電晶體及記憶體儲存格有關鍵作用的新技術。新技術的公佈再次證明AMD 在半導體研究及開發方面的領導地位 |
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AMD開發新型雙閘電晶體 (2002.09.16)
美商超微半導體(AMD)近日發表一款新型雙閘電晶體。這種電晶體全長只有10奈米(nm)，即閘長為100億分之一米，比目前生產的最小電晶體還要小六倍。AMD這項新技術的突破，使目前只能夠內含一億顆電晶體的晶片，可以提升容納到十億顆電晶體 |
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AMD推出開關速度極快的CMOS電晶體 (2001.12.05)
美商超微半導體(AMD)五日宣佈已成功開發一款開關速度迄今最快的CMOS電晶體。這款電晶體閘長15毫微米(nanometer)(即0.015微米)。AMD計劃利用這一種電晶體開發新一代的微處理器 |
