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AMD着手研发三闸晶体管 (2003.09.21)
根据CNET网站报导，AMD日前发表一个实验性的「三闸极」（3 gates）晶体管，希望为芯片找到一种既可提高效能又可省电的方法。在东京召开的国际固态电子零件及材料大会（International Conference on Solid State Devices and Materials）上，AMD讨论了这项还在构思但尚未实现的晶体管技术，希望这种技术能够解决未来芯片设计的困难 |
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AMD成功开发新一代电晶体技术 (2003.06.17)
美商超微半导体(AMD) 的研发人员日前在日本京都举行的积体电路研讨会上详细介绍多种目前最高效能的电晶体。由于电晶体是未来新一代微处理器设计的基础，因此电晶体的开关速度越快，为客户提供的解决方案效能也会越高 |
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AMD发表电晶体新技术 (2003.04.03)
美商超微半导体(AMD)日前表示，该公司的研发人员已开发一种高效能的电晶体，其效能比目前的高效能P通道金属氧化半导体(PMOS)高30%，AMD计划在今年6月全面公布这项研究的实验结果 |
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AMD 发表电晶体及记忆体储存格架构的突破性研究成果 (2002.12.13)
美商超微半导体(AMD) 将会在今年12月8日至11日在美国旧金山举行的国际电子技术会议(IEDM) 上公布多项对开发新一代电晶体及记忆体储存格有关键作用的新技术。新技术的公布再次证明AMD 在半导体研究及开发方面的领导地位 |
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AMD开发新型双闸晶体管 (2002.09.16)
美商超威半导体(AMD)近日发表一款新型双闸晶体管。这种晶体管全长只有10奈米(nm)，即闸长为100亿分之一米，比目前生产的最小晶体管还要小六倍。AMD这项新技术的突破，使目前只能够内含一亿颗晶体管的芯片，可以提升容纳到十亿颗晶体管 |
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AMD推出开关速度极快的CMOS晶体管 (2001.12.05)
美商超威半导体(AMD)五日宣布已成功开发一款开关速度迄今最快的CMOS晶体管。这款晶体管闸长15毫微米(nanometer)(即0.015微米)。AMD计划利用这一种晶体管开发新一代的微处理器 |
