美商超微半導體(AMD)日前表示，該公司的研發人員已開發一種高效能的電晶體，其效能比目前的高效能P通道金屬氧化半導體(PMOS)高30%，AMD計劃在今年6月全面公佈這項研究的實驗結果。這種電晶體採用AMD專有的技術，其中包括一般稱為完全空乏區的絕緣層上矽晶。在另一相關的研究中，AMD的研發人員利用金屬閘門開發一種受壓矽片電晶體，其效能比傳統的受壓矽片電晶體高20至25%。

AMD製程技術開發副總裁Craig Sander表示，『AMD一直致力開發低漏電、低電壓的高效能電晶體，為我們的設計工程師提供一切必要的元件，讓他們可以設計切合客戶需要的解決方案。』

AMD運算產品部副總裁暨技術事務長Fred Weber表示，『要有合適的工具及材料才會有好的設計，AMD一直致力研發這類技術，也已開發各種功能及匠心獨具的架構設計，滿足客戶的需求。』

預計在未來5至10年內，這方面的最新研發成果將會在整個半導體生產流程之中扮演一個極為重要的角色。AMD 將出席今年6月11至12日在日本京都舉行的大型積體電路研討會(VLSI Symosium)，並計劃在會中首次公開發表這兩項研究的結果。