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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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ST推出高溫Snubberless 800V H系列雙向交流可控矽開關 (2021.01.22)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出800V H系列雙向交流可控矽開關，其在最大額定輸出電流時最高接面溫度達到150°C，可以將交流負載驅動器的散熱器尺寸縮減高達50％，以開發出兼具簡潔尺寸配置與高可靠性的交流驅動器 |
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ST與三墾聯手 開發高壓工業應用和車用智慧功率模組 (2020.11.05)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）與半導體、功率模組和感測器技術創新領導者三墾電氣攜手合作，發揮智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）在高壓大功率設備設計中的性能和實用優勢 |
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英飛凌分離式IGBT推出TRENCHSTOP先進絕緣封裝版本 (2017.05.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本，擁有同級最佳的散熱效能以及更簡易的製程 |
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英飛凌推出整合 IGBT 與二極體功能的單晶片 (2015.07.17)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）推出 6.5 kV 功率模組，在單一晶片上整合 IGBT 與飛輪二極體功能。新款 RCDC（具備二極體控制功能的逆導 IGBT）晶片，適合用於現代化高速火車與高效能牽引式機械、未來的 HVDC 電力傳輸系統，以及石油、天然氣與採礦等產業所使用的中電壓馬達 |
