 |
高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。 |
 |
ST推出高温Snubberless 800V H系列双向交流可控矽开关 (2021.01.22)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出800V H系列双向交流可控矽开关，其在最大额定输出电流时最高接面温度达到150。C，可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减高达50％，以开发出兼具简洁尺寸配置与高可靠性的交流驱动器 |
|
ST与三垦联手 开发高压工业应用和车用智慧功率模组 (2020.11.05)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）与半导体、功率模组和感测器技术创新领导者三垦电气携手合作，发挥智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）在高压大功率设备设计中的性能和实用优势 |
|
英飞凌分离式IGBT推出TRENCHSTOP先进绝缘封装版本 (2017.05.18)
英飞凌分离式IGBT推出TRENCHSTOP先进绝缘封装版本
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先进绝缘封装技术，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 两种版本，拥有同级最佳的散热效能以及更简易的制程 |
 |
英飞凌推出整合IGBT 与二极体功能的单晶片 (2015.07.17)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）推出6.5 kV 功率模组，在单一晶片上整合IGBT 与飞轮二极体功能。新款RCDC（具备二极体控制功能的逆导IGBT）晶片，适合用于现代化高速火车与高效能牵引式机械、未来的HVDC 电力传输系统，以及石油、天然气与采矿等产业所使用的中电压马达 |
