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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用 |
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用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放，世界各國政府紛紛推出立法，要求提高電動馬達的效率。 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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運用返馳轉換器的高功率應用設計 (2024.07.17)
本文闡述透過運行多個相位以及併用多個轉換器來提高返馳轉換器功率的可行性。此外，此種設定還能減少返馳式開關電源輸入側的傳導輻射。 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值 |
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頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度 (2023.11.20)
本文討論頂部散熱（TSC）作為一種創新的元件封裝技術能夠如何幫助解決多餘熱量的散熱問題，從而在更小、更輕的汽車中實現更高的功率密度。 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm：normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今（19）日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 （常閉） d-mode氮化鎵平台固有的優勢 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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SCHURTER新型FXP保險絲座適合超高功率應用 (2023.07.21)
封閉式的保險絲座精細優良：保險絲能被妥善保護，也容易替換。根據IEC-60127-6標準， 以往的限制是16A。碩特（SCHURTER）發起的標準擴展讓限制成為歷史。新款 FXP保險絲座是為額定電流最高設是25A（IEC標準）或 45A（UL標準）的 6.3x32保險絲設計 |
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英飛凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半橋驅動器IC系列 (2023.05.12)
英飛凌科技股份有限公司繼推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V絕緣體上矽（SOI）三相閘極驅動器之後，現又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，進一步擴展其產品組合。該驅動器IC系列的半橋配置補充了現有的1200V SOI系列，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性 |
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英飛凌QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝註冊為JEDEC標準 (2023.04.14)
追求高效率的高功率應用持續往更高功率密度及成本最佳化發展，也為電動車等產業創造了永續價值。為了應對相應的挑戰，英飛凌今日宣布其高壓MOSFET適用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻（TSC）封裝已成功註冊為JEDEC標準 |
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ICAA：以交流平台鏈結產業上下游夥伴 共謀智慧新未來 (2023.03.31)
近來ChatGPT引爆科技應用的無限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主導的新時代翩然到來。迎合新一階段的智慧化浪潮，智慧產業電腦物聯網協會(ICAA)與大聯大控股世平集團透過「智慧物聯 連接未來」交流會 |
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雷射銲接溯源擴大應用 (2022.12.25)
造就其中核心的光纖/半導體雷射源及模組架構不斷推陳出新。但台廠技術能量與成本競爭力仍有落差，如今則可望迎接國際節能減碳的潮流而帶來轉機。 |
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Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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MIC預測2023臺灣ICT產業十大趨勢 減碳與ESG入列 (2022.12.14)
國際淨零轉型浪潮來襲，為協助產業掌握未來新興趨勢優化競爭力，資策會產業情報研究所（MIC）於今（14）日舉行《2023年臺灣資通訊產業前景》記者會，發布2023年十大趨勢：
一、國際淨零轉型要求提高，因應國際淨零規範與品牌客戶要求，台廠加速淨零資源投入 |
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Convergent Photonics採用艾邁斯歐司朗CoS封裝藍光雷射二極體 (2022.12.01)
艾邁斯歐司朗宣佈， Convergent Photonics正在開發新型雷射器模組，將採用艾邁斯歐司朗CoS（Chip-on-submount）封裝形式的新型445奈米藍光雷射二極體，，非常適合高功率工業應用和中等功率醫療應用 |
