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ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰 (2008.05.22)
ASM推出一個全新的原子層沈積（ALD）製程。該製程採用氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）高介電值覆蓋層，使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬，而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬


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