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ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰
 

【CTIMES/SmartAuto 李旻潔 報導】   2008年05月22日 星期四

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ASM推出一個全新的原子層沈積(ALD)製程。該製程採用氧化鑭(LaOx)及氧化鋁(AlOx)高介電值覆蓋層,使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬,而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬。High k電介質與金屬柵結合可以實現芯片體積更小、運行更快。這樣的芯片適用於高性能服務器和低功耗要求的產品,如筆記本電腦、PDA和Smart Phone。

ASM正在等待該氧化鑭(LaOx)及氧化鋁(AlOx)覆蓋層的專利。這新的製程應對了32納米及其以下的構型的挑戰。如果沒有這些覆蓋層,則需要兩種不同的金屬來製造晶體管P和N的電學特性。在以鉿(Hafnium)為基礎的閘極介電層與金屬閘極之間引入超薄的覆蓋薄膜,原子層的電荷將會影響介電層和金屬之間的相互作用。在小於1納米的範圍內,通過改變覆蓋層的厚度,金屬薄膜的性能可以被調整。ASM Pulsar提供ALD技術,多個ASM Pulsar process module可以整合成單一的Pulsar平台,以沉積鉿基薄膜和覆蓋層。整個製程不接觸大氣,因此薄膜間的界面可以得到良好的控制。

ASM晶體管產品經理Glen Wilk說「解決high k與金屬柵的挑戰,對我們大部分的客戶來說是最優先的考慮,這個新的製程極大地簡化了high k與金屬閘極的結合,並使我們能夠支持前閘極與後閘極的製程流程。ASM目前提供針對high K電介質、覆蓋層及金屬閘極的原子層沈積(ALD)製程,世界範圍內已有超過50台應用於不同high k沈積的Pulsar正在製造中。」

關鍵字: 氧化鑭  氧化鋁  晶體管  芯片  ALD  ASM  Glen Wilk 
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