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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長,尤其是在永續經營和急需創新的市場方面,先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展(electronica 2024),展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術,並進行技術交流合作
Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關
國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護,避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損,國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案,新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術,預告期至11月15日止
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗 Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器,擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計,用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用
Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計,實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸,適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合,
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 (TI) 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 (GaN) 功率半導體。隨著會津廠進入生產,加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業,TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多
國科會專案研發 MIMO 4D感測技術 實現通感算融合 (2024.10.24)
中山大學、清華大學、陽明交通大學及國研院台灣半導體研究中心組成的研究團隊,在國科會「下世代通訊系統關鍵技術研發專案」的支持下,成功研發了多輸入多輸出(MIMO) 4D感測技術,可望提升生活便利性與安全性,促進健康照護發展
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成,同時宣布與國家中山科學研究院(中科院)合作,雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外,格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議,雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局
Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高電源效率並降低待機功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器,為擴展電源IC產品組合的最新成員。 NEX806/8xx和NEX8180x專為諸如供電(PD)充電器、適配器、牆壁插座、條形插座、工業電源和輔助電源以及其他需要高功率的AC/DC轉換應用等設備中的以GaN為基礎的反激式轉換器而設計
是德科技3kV高電壓晶圓測試系統專為功率半導體設計 (2024.10.15)
是德科技(Keysight)推出4881HV高電壓晶圓測試系統,擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現高達3kV的參數測試,支援一次性完成高、低電壓測試,進而提高功率半導體製造商的生產效率
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求,具備低缺陷率、高製程穩定性,成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本,促進了碳化矽元件的更廣泛應用
數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型:電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會,此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用,即實現更高的能源效率和更快的產品創新
英飛凌全新CoolGaN Drive產品系列整合驅動器單開關和半橋 (2024.09.20)
消費電子和工業應用領域正趨向便攜化、電氣化、輕量化等多樣化發展,因此需要緊湊高效的設計,同時還需採用非常規PCB設計,但此類設計面臨嚴格的空間限制,從而限制外部元件的使用
英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技(Infineon)宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業,這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產,包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」
[SEMICON] 筑波與鴻勁精密聯手展示先進化合物半導體與矽光子技術 (2024.09.05)
筑波科技(ACE Solution)與鴻勁精密(Hon. Precision)攜手參與SEMICON Taiwan 2024國際半導體展,展示光電整合矽光子測試技術、精密量測及自動化機台的整合,著重高密度與光電結合測試方案
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems,UAES)簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來,雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係
緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中,少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器,而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示,2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元,預計到2030年將增長至110億美元,預測期內的複合年增長率為15%
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,成功導入至浙江吉利控股集團(以下稱吉利)的電動車(以下稱EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器
生成式AI 整合機器視覺檢測的崛起 (2024.08.28)
隨著生成式 AI 和機器視覺檢測的快速發展,為智慧 AOI 檢測注入了新的活力。本文將聚焦在智慧 AOI 檢測市場的發展現況與趨勢,並剖析其在智慧工廠巡檢與品質管控的應用場景,並關注生成式 AI 與機器視覺檢測所帶來的變革


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10 Bourns SA2-A系列高壓氣體放電管新品符合AEC-Q200標準

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