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應用材料推出深溝蝕刻技術支援次100nm的DRAM晶片製造 (2001.08.12)
應用材料宣佈推出高長寬比溝道（HART：High Aspect Ratio Trench）矽蝕刻反應室，能在100nm或更精密元件上，蝕刻電容結構的高長寬比溝道。這個反應室是應用材料與一家DRAM製造商的合作成果，可支援200mm或300mm晶圓，蝕刻長寬比大於60：1的溝道結構，同時在具有生產價值的蝕刻速率下，提供傑出的製程重複性與均勻性 |
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