應用材料宣佈推出高長寬比溝道（HART：High Aspect Ratio Trench）矽蝕刻反應室，能在100nm或更精密元件上，蝕刻電容結構的高長寬比溝道。這個反應室是應用材料與一家DRAM製造商的合作成果，可支援200mm或300mm晶圓，蝕刻長寬比大於60：1的溝道結構，同時在具有生產價值的蝕刻速率下，提供傑出的製程重複性與均勻性。

應用材料蝕刻產品事業群矽蝕刻部門總經理Dragan Podlesnik表示：「市場需要速度更快且效能更強大的記憶晶片，這為DRAM製造帶來新的挑戰，包括蝕刻更深的溝道結構，以滿足不斷增加的電路密度需求。為確保HART反應室能滿足日益嚴格的產業要求，我們特別與一個重要客戶合作，學習他們豐富的DRAM生產經驗，這項合作計劃促成了高長寬比溝道技術與生產力的大幅增進。根據HART反應室所展現的實際工作效能，我們預期這套解決方案將能支援往後數個世代的元件。」

HART反應室是以應用材料的MERIE（Magnetically Enhanced Reactive Ion Etch）離子蝕刻技術為基礎，並採用一種全新的反應室設計，可蝕刻出均勻溝道，同時讓微距小於80nm。這套系統還提供極佳的製程重複性和精準的反應室匹配能力，這都是晶片量產過程中的重要參數，可確保在晶圓邊緣、和不同晶圓、生產批次及設備間，擁有一致且均勻的蝕刻結果，進而改善設備的生產良率。除反應室的效能提升外，蝕刻速率也大幅增加，讓產出率比先前的解決方案多出一倍，也把設備的生產力帶入新境界。

應用材料公司蝕刻產品事業群的副總裁暨總經理John Hoffman表示：「結合客戶在DRAM製造領域的知識，以及我們在蝕刻製程設備方面的經驗，我們發展出更高長寬比溝道的蝕刻設備，並確信它是業界最好的量產解決方案。應用材料是蝕刻市場的領導廠商，我們新推出的HART反應室將更能滿足業界要求，提供更高長寬比的溝道蝕刻能力、極佳的蝕刻均勻性及更佳的產出率，方得以在新世代的記憶體晶片製造中，持續業界的領導地位。」

根據迪訊公司（Dataquest）的研究，在未來的五年裏，溝道蝕刻技術市場將成長一倍，從2000年的1.02億美元增加至2005年的2.17億美元；此外，2000年矽蝕刻市場總規模估計為12億美元，預計到2005時會達到19億美元。