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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放，世界各國政府紛紛推出立法，要求提高電動馬達的效率。 |
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熱泵背後的技術：智慧功率模組 (2024.07.26)
熱泵是一種用於製冷和供暖的多功能、高效能技術。而高品質封裝技術的關鍵，在於能夠保持出色散熱性能的同時優化封裝尺寸，並且不降低絕緣等級。 |
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貿澤全新綜合資源中心聯結工程師與EV/HEV技術未來 (2024.07.18)
推動創新產品導入（NPI）代理商貿澤電子（Mouser Electronics）透過廣泛的EV/HEV資源中心探索電動和混合動力車技術的最新發展、進步與挑戰。隨著雙向充電和車輛自動駕駛等先進技術進入市場，掌握最新潮流比以往任何時候都更加重要 |
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意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景 |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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智慧充電樁百花齊放 (2024.04.29)
電動車產業在經歷疫情與全球競逐淨零碳排目標下已逐漸成熟，包含充電樁等客製化、模組化終端產品甚至由下而上，驅動製造業加速轉型升級。 |
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揮別續航里程焦慮 打造電動車最佳化充電策略 (2024.04.29)
隨著電動車持續發展，300英里成為標準，續航里程焦慮開始消散。
各國已制定不同的電動車標準，以因應不同的需求和應用。
透過實驗室模擬，才是驗證電動車和充電樁互通性的最佳方法 |
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電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15)
因應現今數位減碳及人工智慧（AI）應用需求不斷增加，依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議，共通過4項計畫。
其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶 |
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意法半導體碳化矽技術為致瞻提升電動汽車車載空調控制器效能 (2024.01.30)
意法半導體（STMicroelectronics；ST） 宣布與聚焦於碳化矽（SiC）半導體功率模組和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為其電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽（SiC）MOSFET技術 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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貿澤電子2023年第二季推出近30,000項新品 (2023.07.20)
貿澤電子（Mouser Electronics）為原廠授權代理商，致力於快速導入新產品與新技術，協助超過1,200個半導體及電子元件製造商從設計鏈到供應鏈加快產品的上市速度，將新產品賣到全世界 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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英飛凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半橋驅動器IC系列 (2023.05.12)
英飛凌科技股份有限公司繼推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V絕緣體上矽（SOI）三相閘極驅動器之後，現又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，進一步擴展其產品組合。該驅動器IC系列的半橋配置補充了現有的1200V SOI系列，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性 |
