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筑波結合TeraView技術開發新工具 用於非破壞性晶圓品質檢測 (2023.03.09)
因應通訊元件、設備和系統製造商的需求，筑波科技推出一種用於化合物半導體的非破壞性晶圓品質測量方案TZ6000。此方案結合TeraView的TeraPulse Lx技術，針對厚度、折射率、電阻率、介電常數、選定位置的表面/次表面缺陷和整個晶圓掃描達成非破壞性晶圓品質測量 |
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Fractilia將隨機性誤差量測導入晶圓廠 提升EUV管控與良率 (2023.02.22)
Fractilia宣布Fractilia Automation Metrology Environment（FAME）產品組合推出最新生力軍：FAME 300。專為量產（HVM）晶圓廠製造環境所設計的FAME 300，可針對先進節點之微影圖案化誤差最大來源隨機效應（stochastics effects），提供即時測量、檢測與監控 |
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筑波分享WBG半導體材料測試方案 助力低碳SiC晶圓技術創新 (2022.09.23)
工研院「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」，邀請碳化矽晶圓材料與製程廠商代表與會，期望藉由此課程交流機會，提升產業低碳碳化矽長晶技術能量。筑波集團董事長許深福分享「WBG半導體材料測試挑戰與方案」，如何提升測試技術、確保製程品質、降低成本及加速產品上市時間為需克服的挑戰 |
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用於檢測裸矽圓晶片上少量金屬污染物的互補性測量技術 (2021.12.30)
本文的研究目的是交流解決裸矽圓晶片上金屬污染問題的經驗，介紹如何使用互補性測量方法檢測裸矽圓晶片上的少量金屬污染物並找出問題根源， |
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KLA推出兩款新系統 應對半導體製造最大挑戰 (2021.01.08)
KLA Corporation發布兩款新產品：PWG5 晶圓幾何形狀量測系統和Surfscan SP7XP晶圓缺陷檢測系統。這些新系統旨在解決高端記憶體和邏輯集成電路製造中極其困難的問題。
功能最強大的閃存建立在3D NAND的結構之中，這些結構堆疊得越來越高，就如同分子摩天大樓一樣 |
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KLA推出兩款量測與檢測系統 提升3D NAND與先進製程良率 (2020.12.14)
KLA Corporation今日發布兩款新產品：PWG5晶圓幾何形狀量測系統和Surfscan SP7晶圓缺陷檢測系統。這些新系統旨在解決高端記憶體和邏輯集成電路製造中的嚴峻問題。
在最先進的行動通訊設備中，3D NAND結構建有功能強大的閃存，這些結構堆疊得越來越高，如同分子摩天大樓一樣 |
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GTAT和安森美半導體簽署SiC材料供應協議 提高寬能隙材料供應 (2020.03.19)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor)，宣佈執行一項為期五年的協議，總價值可達5,000萬美元。根據該協定，GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX 碳化矽(SiC)材料，用於高增長市場和應用 |
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在線量測針對表徵和控制晶圓接合極度薄化 (2017.10.17)
對於3D-SOC整合技術方案，當Si減薄至5μm以下時會出現多種挑戰，因而需要不同的測量技術來表徵整個晶圓的最終Si厚度。本文介紹在極度晶圓薄化製程的探索和開發過程中所使用的在線量測方法 |
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KLA-Tencor為先進積體電路元件技術推出全新量測系統 (2017.03.20)
KLA-Tencor公司針對次十奈米（sub-10nm）積體電路（IC）元件的開發和量產推出四款創新的量?系統：Archer 600疊對量測系統，WaferSight PWG2圖案化晶圓幾何形狀測量系統，SpectraShape10K光學線寬（CD）量測系統和SensArray HighTemp 4mm即時溫度測量系統 |
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RAMTRON宣佈與IBM達成代工協議 (2009.02.26)
Ramtron宣佈已經與IBM達成代工服務協議，兩家公司計畫在IBM位於美國維佛蒙特州伯林頓市的先進晶圓製造設施內安裝 Ramtron的F-RAM半導體製程技術，一旦安裝完成，此一新代工服務將成為Ramtron 推出新款具成本效益的高性能F-RAM半導體產品之基礎 |
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伊利諾大學成功開發奈米級電子顯示技術 (2007.01.10)
一種以多樣材料製成的轉印新方式，已證明是相當具有潛力的奈米級電子與光電產品的開發工具。全新且成本不高的奈米電子製作方法，除了可以做種種電子裝置外，也可用來發展更好的顯示器、更精簡與高效能的手機，以及相當類似人類眼睛結構，小巧但有寬廣視角的夜視系統 |
