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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展，並加入人工智慧（AI）普及化、節能減碳等熱門議題引發關注，意法半導體（ST）也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽（SiC）等高效解決方案，探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色，使其更易於普及，讓每個人都能受益 |
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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（SBD），被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA／HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，實現最大的工作效率（94%） |
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PCB搶進智慧減碳革新 (2024.10.29)
當前國內外電子品牌大廠積極推動產品碳中和浪潮下的綠色生產議題，卻累積推進台灣PCB廠商等上游製程端節能減碳的壓力，持續往高階供應鏈轉型發展。並依TPCA盤點產業耗電後，更需要及早投入低碳製造布局維持產業競爭優勢 |
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貿澤電子推新品：2024年Q3新增近7,000項元件 (2024.10.29)
貿澤電子（Mouser Electronics）協助客戶加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴，幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤為客戶提供100%通過認證的原廠產品，而且還能追蹤這些產品自離開製造商工廠以後的完整路線 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體，為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化矽（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計 |
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筑波攜手格斯與格棋化合物半導體 推進電池與SiC晶圓檢測技術 (2024.10.21)
筑波科技宣布與格斯科技及格棋化合物半導體簽訂合作備忘錄，三方將在電池品質測試及半導體晶圓檢測領域深度合作，在精密檢測與材料技術市場邁入新階段。
在此次合作中 |
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臺捷合作先進晶片設計研究中心揭牌 深化半導體技術交流 (2024.10.19)
國研院由蔡宏營院長率產學研團隊（包括擷發科技、振生半導體、鼎極科技及光濟科技），於2024年10月17日赴捷克布爾諾（Brno），出席「Semi Impact Forum Brno」半導體系列論壇，並參加「先進晶片設計研究中心」（Advanced Chip Design Research Center；ACDRC）揭牌儀式，進一步推動臺灣與捷克在半導體設計與製造領域的深度合作 |
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英飛凌HybridPACK Drive G2 Fusion結合矽和碳化矽至電動汽車先進電源模組 (2024.10.16)
英飛凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，為電動汽車領域的牽引逆變器確立新的電源模組標準。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技術，可隨插即用的電源模組 |
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是德科技3kV高電壓晶圓測試系統專為功率半導體設計 (2024.10.15)
是德科技（Keysight）推出4881HV高電壓晶圓測試系統，擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現高達3kV的參數測試，支援一次性完成高、低電壓測試，進而提高功率半導體製造商的生產效率 |
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芯動與ROHM簽署車載功率模組戰略合作 推動xEV技術創新 (2024.10.11)
關鍵元件中的SiC被寄予厚望，並逐漸被廣泛應用於核心驅動零件—牽引逆變器。長城汽車旗下的無錫芯動半導體科技與半導體製造商ROHM簽署以SiC為核心的車載功率模組戰略合作夥伴協定 |
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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
