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掌握高速數位訊號的創新驅動力 (2024.07.25)
隨著AI加速晶片的廣泛應用，PCIe介面上的加速卡設計逐漸成為推動整體產業進步的關鍵技術。 |
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高速數位訊號-跨域創新驅動力研討會 (2024.07.23)
隨著大數據、人工智慧，特別是生成式AI的快速發展，數據需求呈現爆炸式增長。高速數位訊號作為數據傳輸的重要載體，將承擔起更大的責任和挑戰。新興技術例如5G到6G通訊、車聯網、智能城市等，都需要高速數位訊號的支持 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體 提高效率和高溫可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣佈推出首款碳化矽（SiC）蕭特基勢壘二極體（SBD）。產品組合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一項650V額定電壓（4A、6A、8A和10A）的產品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V額定電壓（2A、5A和10A）產品 |
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EPC積極發展光達應用的車規認證積體電路 (2022.04.29)
EPC公司宣佈推出 額定電壓?100 V、58 mΩ 和脈衝電流為20 A 的共源雙路氮化鎵場效應電晶體EPC2221，可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。
EPC2221採用低電感、低電容設計，允許快速開關 (100 MHz) 和窄脈衝寬度 (2 ns)，從而實現高解析度和高效率 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%開關損耗 (2021.09.22)
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基於碳化矽的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化矽MOSFET分離式和模組產品組合 |
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ST推出車規瞬壓抑制器 提供CAN/ CAN-FD小型化高性能保護 (2021.05.31)
意法半導體（ST）宣布推出ESDCAN03-2BM3Y車規低電容雙通道瞬態電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor；TVS），為汽車CAN和CAN-FD提供高性能、小封裝的電壓抑制保護。
車載高密度的ECU電控單元越來越多，例如ADAS先進駕駛輔助系統、自動駕駛控制器和車用閘道器，車商對於高度小型化的高性能保護元件需求越來越高，意法半導體之封裝面積1 |
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保護自動駕駛汽車（AV）控制電路 (2021.04.14)
除非車輛的電子電路具有高度的可靠性和抗電衝擊能力，否則自動駕駛汽車（AV）所提供的安全性和便利性無法實現。 |
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提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能 (2021.02.23)
為了加速電動車（EV）技術導入，滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求，全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能，同時盡可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本 |
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邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)
為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律，本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發，並提供更多在未來發展上的創新可能。 |
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安森美高能效乙太網路供電方案 解決100W功率需求挑戰 (2020.06.30)
網路規模的激增使得相應設備對功率的需求顯著增長。乙太網路是這技術生態系統的關鍵一環。新的乙太網路供電(PoE)通用標準(IEEE 802.bt)提供高達90瓦的功率，安森美半導體的PoE-PD方案不僅支援新標準的功率限制 |
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TI最佳化EMI的整合式變壓器技術 縮小隔離式電源至IC封裝尺寸 (2020.02.13)
德州儀器（TI）近日推出了採用新專利整合式變壓器技術開發的積體電路（IC）：具業界最低電磁干擾（EMI）的500-mW高效隔離式DC/DC轉換器UCC12050。2.65-mm的高度能讓工程師縮小解決方案的體積（與分離式解決方案相比減少80%，與電源模組相比則減少60%），效率更是同類競品的兩倍 |
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Littelfuse低電容瞬態抑制二極體陣列 保護高速差分數據線免受放電和突波事件影響 (2019.10.30)
電路保護、電源控制和傳感技術製造商Littelfuse, Inc.宣佈推出了低電容瞬態抑制二極體陣列（SPA二極體）。該產品經過優化設計，可用於保護高速差分數據線免受因靜電放電（ESD）、電纜放電（CDE）、電氣快速瞬變（EFT）和雷擊感應浪湧造成的損壞，通過維護信號完整性保持網路通信的可靠性 |
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東芝推出適用於Thunderbolt 3及其他高速訊號線的低電容TVS Diode (2019.10.30)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出兩款低電容舜態電壓抑制二極體(TVS Diode)(ESD靜電放電保護二極體)，兩款二極體均支援Thunderbolt 3、HDMI 2.1和USB 3.1等高速通訊標準並已開始出貨 |
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安森美半導體推出全新工業級和符合車規的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半導體推出了兩款全新碳化矽（SiC）MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬能帶隙（WBG）技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不斷電系統（uninterruptable power supply；UPS）及伺服器電源 |
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Bourns新型TBU高速保護器系列對RS-485介面提供完整且易於使用的保護 (2018.11.29)
美商柏恩Bourns推出其新型TBU-DF和TBU-DB-Q高速保護器（HSP）裝置系列。此系列半導體保護器之保護速度極快（反應時間小於1微秒）且精準提供了簡單易用的資料線保護解決方案 |
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Littelfuse新推汽車用瞬態抑制二極體陣列 (2018.03.21)
Littelfuse推出了符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極體陣列系列，該產品經過優化設計，可用於保護汽車控制器局域網（CAN）線路免受因靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和其他過電壓瞬變造成的損壞 |
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中微發佈第一代電感耦合等離子體蝕刻設備 提升7和5奈米產能 (2018.03.13)
中微半導體設備有限公司在本周舉辦的SEMICON China期間正式發佈了第一代電感耦合等離子體蝕刻設備Primo nanova，用於大批量生產儲存晶片和邏輯晶片的前道工序。該設備採用了中微專利的電感耦合等離子體蝕刻技術，將為7奈米、5奈米及更先進的半導體元件蝕刻應用提更好的製程加工能力，和更低的生產成本 |
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Diodes推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 介面保護的小型 TVS (2018.02.23)
Diodes 公司推出資料傳輸線瞬態電壓抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7，此產品適用於搭載差分訊號線路、時脈 5 Ghz 以上的先進系統單晶片，可為 I/O 埠提供優異的 TVS/ESD 保護，是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt 3、PCI Express 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort 1.4 等高速介面不可或缺的元件 |
