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CTIMES / 溝槽式
科技
典故		 第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
Fairchild協助古瑞瓦特的太陽能逆變器實現高功效 (2016.01.07)
Fairchild宣佈其650 V 場截止溝槽式 IGBT應用於古瑞瓦特新能源公司最新一代太陽能逆變器中，該公司是家用與商用太陽能應用逆變器製造商。由於使用Fairchild的 IGBT，古瑞瓦特將其新型5K-HF太陽能逆變器的功率密度，與之前型號相比提升了20%

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