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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10) 無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化鎵 (GaN)開發出多款高能效功率裝置,協助打造出更為環保的電子產品;CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現,CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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英飛凌新一代 CoolMOS降低50%切換損耗 為系統奠定耐用性新標準 (2015.05.26) (德國慕尼黑訊)英飛凌科技(Infineon)推出全新 CoolMOS C7 超接面(SJ)MOSFET系列。相較於 CoolMOS CP 600 V 系列能減少 50% 的關閉損耗,在 PFC、TTF 和其他硬切換拓樸中發揮媲美氮化鎵級的性能 |
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