CTIMES - 失效分析

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科技
典故

第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

	掌握失效分析技術關鍵應對SiP微小化產品多樣需求 (2023.04.21) 失效分析的一般程式分為三個關鍵步驟：失效模式確認、分析失效機理、驗證失效機理和原因，再進一步就是要提出改進措施。失效分析在積體電路（IC）產業鏈中發揮的重要性越來越大
	蔡司導入3D非破壞性X-ray智慧重構技術提升封裝失效分析 (2020.09.01) 蔡司（ZEISS）今日宣布為其Xradia Versa系列非破壞性3D X-Ray顯微鏡（XRM）以及Xradia Context 3D X-ray微電腦斷層掃描技術（microCT）系統，導入先進重構工具模組（Advanced Reconstruction Toolbox）
	蔡司推出Crossbeam Laser FIB-SEM 量級化速度加快封裝失效分析 (2020.02.13) 蔡司（ZEISS）宣布推出蔡司Crossbeam Laser，專為指定區域使用的聚焦離子束掃描式電子顯微鏡（FIB-SEM）全新系列解決方案，可大幅提升先進半導體封裝失效分析及製程優化的速度
	解決QFN-mr BiCMOS元件測試電源電流失效問題 (2018.09.28) 本文探討一套解決晶片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法，並介紹數種不同的失效分析方法，例如資料分析、實驗設計(DOE)、流程圖分析、統計輔助分析和標杆分析
	iST獨家研發MEMS G-Sensor失效分析標準流程 (2013.10.15) 在先端科技的蓬勃發展下，MEMS元件已成為智慧產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時，因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因，iST集團-台灣宜特今(10/15)宣布，成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程