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科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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SiGe PNP HBT基極摻雜工程技術 (2007.01.05)
SiGe:C npn電晶體異質接面雙極性晶體管（HBT）是 BiCMOS IC 中針對高速類比和混合訊號應用的核心技術。而高速互補技術要求pnp與npn HBT具有相似的性能。由於n 型 SiGe 基極摻雜工程技術目前仍是一項挑戰，針對此挑戰本文提出了使用標準和原子層摻雜（ALD）技術的摻雜工程技術概論 |
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