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ST在IEDM 2005上揭示超小型NOR快閃記憶 (2005.12.09) 創新半導體供應商ST,2005年12月5~7於美國華盛頓舉辦的國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)中,提出了13份技術文件。ST發佈的技術文件包含全球首次披露的65奈米NOR快閃記憶體製程技術,這種元件具有0 |
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Crolles2聯盟邁向新一代量產製程技術 (2005.06.21) Crolles2聯盟日前公佈了一份在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)文件,描述使用傳統大量CMOS製程技術與45奈米設計規則,在量產條件下建構面積小於0.25平方微米的6電晶體結構SRAM單元 |
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