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Vishay推出具有金屬陶瓷元件的功率面板電位計 (2008.02.04) Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出業界首款具有金屬陶瓷元件的功率面板電位計,溫度在50°C時其額定功率為6W。PE60採用美國及歐盟套管螺紋和完全密封式封裝,主要面向飛機駕駛艙、卡車與農耕機、HVAC系統、電焊機、加工設備、農場與采礦設備及防水設備等終端產品中的工業和航空控制面板及重型控制應用 |
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Vishay推出五款新型高靈敏度紅外線接收器系列 (2008.01.31) 為減少螢光燈(CFL)以及其他干擾信號源對紅外線遙控系統的影響,Vishay宣佈推出五款新型高靈敏度紅外線接收器系列。上述AGC3接收器適用於雜訊環境和短脈衝碼應用。
緊湊型螢光燈是主要的環境光噪音源之一,它發射出類似於紅外線遙控信號的雜訊信號,嚴重影響紅外線系統的性能 |
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Vishay推出適用高溫應用的第5代高性能二極體 (2008.01.31) Vishay宣佈推出適用於高溫應用的新型高性能Schottky二極體第5代矽平臺,以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結溫的8款新型器件。
Vishay新型Schottky二極體系列採用亞微米溝槽技術,最大結溫為+175°C,適用於汽車及其它高溫應用 |
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Vishay推出新型Power Metal Strip儀錶並聯電阻 (2008.01.24) Vishay宣佈推出採用5515尺寸封裝的新型Power Metal Strip儀錶並聯電阻,該器件具有3W功率以及低至100µΩ的超低電阻值。WSMS5515儀錶並聯電阻採用可產生100µΩ~500µΩ超低電阻值的專有工藝技術,該技術可在面向工業及民用電子電錶的電流錶並聯應用中提供更高的精確度 |
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Vishay推出最新超小型四通道ESD二極體保護陣列 (2008.01.24) Vishay提供兩款採用最新超小型LLP1010-5L封裝的四通道ESD二極體保護陣列,占位面積為1mm×1mm,濃度僅為0.4mm,可實現板面空間節約兩款器件分別具有6.5pF和12pF的低負載電容以及5V和9V的最大工作電壓範圍 |
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Vishay推出具長使用壽命的小型面板電位計 (2008.01.21) Vishay宣佈推出具有長久使用壽命的最新小型面板電位計,該器件具有2W的高額定功率、低溫度係數及高工作扭矩。標準面板電位計的壽命為100,000個週期,而P30L具有100萬個週期的長久使用壽命 |
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Vishay推出新型首款ESD單線路保護二極體 (2008.01.21) Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出業界首款具有1.5pF低電容且採用新型LLP1006封裝的ESD單線路保護二極體。
憑借0.6毫米×1.0毫米的占位面積以及0.38毫米的超薄濃度,BUS051BD-HD1可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業及醫療應用的電子設備中節省板面空間,以及提供ESD保護 |
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Vishay 3V紅外接收器系列具高靈敏度 (2008.01.14) Vishay宣佈利用可在光線較低的情況下將元件靈敏度提高一倍的新一代IC升級其3V紅外接收器的性能。該IC是IR接收器性能的主要決定因素之一,此外還有光電二極體及光封裝本身 |
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Vishay推新高壓單、雙電源單刀雙擲類比開關 (2008.01.14) Vishay推出兩款新型高壓單、雙電源單刀雙擲(SPDT)類比開關。DG469與DG470器件是相同的,不同之處是DG470帶有啟動引腳,該引腳可將所有開關置於高阻抗狀態,從而在啟動時可保持“安全狀態”並可防止意外信號或電源短路 |
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Vishay推出新型SiP21301 LDO控制器 (2008.01.07) Vishay推出具有可調及固定輸出電壓選擇的LDO控制器,該器件採用n通道MOSFET,可在高達7A的極高電流情況下提供不到50mV的超低壓降。
SiP21301器件已進行了優化,可驅動n通道MOSFET,以便為遊戲機、機頂盒、液晶電視及網路設備中的FPGA、ASIC及 ASSP供電 |
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Vishay發表200-V、TMBS槽沟式肖特基整流器 (2007.12.20) Vishay發表業界首款200-V、30-A雙路高壓TMBS槽沟式肖特基整流器,為同步整流解決方案提供一低成本之替代方案。V30200C提供許多超越平面肖特基整流器之優點。當操作電壓達到100 V及更高時 |
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Vishay產品現可由Digi-Key供貨 (2007.12.19) Vishay Intertechnology, Inc.與Digi-Key Corporation宣佈,Vishay的延伸性半導體產品,包括MOSFET、二極體、整流器、RF電晶體、光電及選擇性IC目前已可透過Digi-Key供貨。藉由此新產品陣容強化,Digi-Key現已負責經銷Vishay的半導體及被動元件全系列產品 |
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Vishay推出尺寸09的新型單匝襯套位置感測器 (2007.11.19) Vishay宣佈推出尺寸為09(22.2mm)的新型單匝、襯套位置感測器,該器件採用霍爾效應技術,面向惡劣環境中的應用。
新型351 HE的霍爾效應技術使其能夠在高達20G的高頻率振動、高達50G的衝擊條件下在–45°C~+125°C的溫度範圍內工作,因此其具有比其他技術更勝一籌的強大優勢 |
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Vishay宣佈推出Vishay FCSP FlipKY系列晶片 (2007.11.16) Vishay宣佈推出的Vishay FCSP FlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件,這些器件的占位面積為0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。
憑藉0.6mm(1A器件)及0.5mm(0.5A器件)的超薄厚度,Vishay FlipKY晶片級肖特基二極體可節省手機、藍牙附件、PDA、MP3播放器、數碼相機、個人視頻播放器及其他需要超薄器件的可擕式電子系統的空間 |
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Vishay新型環形高溫電感器可選擇垂直及水準安裝 (2007.11.15) Vishay宣佈推出新型環形高電流高溫電感器系列中的首款器件,該器件具有高額定電流及飽和電流及極低的DCR。
憑藉+200°C的額定工作溫度以及可減少EMI的環形設計,新型TJ5-HT電感器專為汽車、工業及深井鑽探產品中的開關電源、EMI/RFI濾波及輸出電抗器而進行了優化 |
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Vishay推出新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15) Vishay推出已通過AEC-Q101認證的新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET,該系列包含兩款採用PowerPAK 1212-8封裝且額定結溫為175°C的60V元件。日前推出的元件為在10V柵極驅動時導通電阻為25毫歐的Vishay Siliconix n通道SQ7414EN以及額定導通電阻為65毫歐的p通道SQ7415EN |
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Vishay推出三款新型單線路ESD保護二極體 (2007.11.12) Vishay宣佈推出採用小型塑膠SOD923封裝的三款新型單線路ESD保護二極體,這些元件面向可擕式電子設備及其他對空間敏感的應用。
VESD03A1C-02Z、VESD05A1C-02Z及VESD12A1C-02Z可在空間受限的應用中提供ESD保護,例如可擕式電子設備,包括可擕式遊戲設備、MP3播放器及手機 |
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Vishay推寬泛光強度及獨立顏色控制SMD三色LED (2007.11.12) Vishay推出具有寬泛光強度範圍及獨立顏色控制的新型多SMD三色LED。VLMRGB343..多SMD三色LED是一種高亮度器件,可針對苛刻的高效應用單獨控制紅色、綠色及藍色LED晶片。該器件為黑色表面,可與所有視頻標準相容,其採用占位面積為3.2mm×2.8mm、厚度僅為1.8mm的小型PLCC-4封裝,可實現板面空間節約 |
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Vishay推出採SMD功率封裝的新型Little Star LED (2007.11.08) Vishay宣佈推出新系列黃色、淡黃色、暖白色及白色1W功率SMD LED。Little Star VLMK71..、VLMY71..、VLMW71..及VLMW711..系列為眾多應用提供了低熱阻及高光強度。
Vishay新型Little Star LED採用具有6.0mm×6.0mm較小占位面積及1.5mm超薄厚度的SMD功率封裝,這些器件是市場上最堅固耐用、光效率最高的產品 |
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VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08) Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET,這些器件具有三種封裝選擇,可提供最佳的導通電阻性能,憑借這三款器件,公司將有助於提升固定電信網路的效率 |