CTIMES - Vishay

Vishay提供63V額定電壓固體鉭晶片電容器 (2008.08.11)
Vishay宣佈，該公司已擴展了其Tantamount Hi-Rel COTS T97系列，可提供具有63V額定電壓的固體鉭晶片電容器，從而能夠滿足+28V電源設計中的額定值降低要求。由於缺乏面向+28V應用的替代產品，在此之前，設計人員不得不依賴50V鉭電容器，這種電容器無法滿足50%額定電壓的降級要求（軍事及最佳商業實踐）

Vishay推出無線通信的新型小型編/解碼器 (2008.08.11)
Vishay Intertechnology, Inc推出用於串行紅外(IrDA)無線通信的新型小型編碼器/解碼器TOIM5232，進一步擴大其光電產品組合。此新型器件可為串行紅外(SIR)IrDA收發器提供適當的RS-232數據信號脈波波形，並支持1.2kbit/s至115.2kbit/s的數據速率

Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 參考溫度）的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率（按照 MIL-PRF-39009規範，在自由空氣中為1

Vishay擴展了140CRH系列SMD鋁電容器功能 (2008.08.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈已擴展了其140CRH系列表面貼裝鋁電容器的功能，從而可提供極高的電容值及紋波電流。 140CRH為具有非故態自恢復電解質的極化鋁電解電容器，其非常適用於環境溫度高達125°C的汽車及工業系統中的濾波、平滑、緩衝及電壓退耦應用

Vishay推出改進的S系列高精度Bulk Metal箔電阻 (2008.07.31)
Vishay宣佈推出改進的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)電阻，這些電阻在-55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有±2 ppm/°C的軍用級典型TCR、±0.005%的容差，以及超過10,000小時的±0.005%負載壽命穩定性

Vishay與Yosun簽訂經銷協議 (2008.07.29)
Vishay非常高興地宣佈，該公司已與亞洲主要電子元件經銷商Yosun簽訂經銷協議。正式簽字儀式於 6月18日在位於臺灣臺北的Yosun辦事處舉行。在該協議條款下，Yosun將經銷除箔電阻以外的全部 Vishay半導體與無源元件

Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻 (2008.07.17)
為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求，Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C參考溫度）的溫度範圍內分別具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm 的出色PCR（“R，由於自加熱”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性

Vishay 推出微型面板電位計 (2008.07.14)
Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度係數低至±150ppm/°C且具有9.6mm小型尺寸的新型低成本面板電位計。標準低成本面板電位計的寿命為50,000個周期，而P10L具有500,000個周期的長久使用壽命

Vishay針對車用工業擴展表面貼裝鋁電容器尺寸 (2008.07.11)
日前，Vishay宣布已擴展其150CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與纹波電流，以及可實現高振動功能的4針腳版本。 150CRZ器件採用五種封裝尺寸，以8mm×8mm×10mm，直至較大的12.5mm×12.5×16mm

Vishay推出新高強度白光功率SMD LED系列 (2008.07.11)
Vishay推出首款採用CLCC-2扁平陶瓷封裝的高強度白光功率SMD LED系列。堅固耐用且具有高光效率的VLMW82..器件具有20K/W的低熱阻以及9000mcd～18000mcd的高光功率，主要面向熱敏應用

Vishay推出Bulk Metal表貼裝Power Metal Strip電阻 (2008.06.30)
Vishay宣佈推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在限定功率及+70ºC的條件下保持2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC參考溫度條件下實現±15 PPM/ºC的絕對TCR，以及具有±0.1%的容差

Vishay推出新型IHLP超薄、髙電流電感器 (2008.06.30)
Vishay宣佈推出採用2020封裝尺寸的新型IHLP超薄、髙電流電感器。這款小型IHLP-2020BZ-01具有5.18mm×5.49mm的占位面積、2.0mm的超薄厚度、較高的最大頻率，以及 0.1µH～10µH的標準電感值

Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔電阻 (2008.06.30)
為滿足高可靠性應用中對性能的長期穩定性的需求，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C（+25°C參考溫度）範圍內具有±0.05 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm的出色功率系數（"ΔR，由於自加熱"）、±0.001%(10 ppm)的容差，以及±0.002%(20 ppm)的負載壽命穩定性

Vishay推出新型高功率、高速850 nm紅外發射器 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.推出採用5 mm帶引線封裝的新一代850 nm紅外發射器，從而拓寬了其光電子產品系列。TSHG5210與TSHG6210具有±10°視角，而TSHG5410與TSHG6x10器件具有±18°視角

Vishay推出新型D2TO35 35W濃膜功率電阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型35W濃膜功率電阻，該器件採用易於安裝的小型TO-263封裝(D2PAK)，並且具有廣泛的電阻值範圍。該新型D2TO35濃膜電阻為無電感器件，具有0.01Ω～550kΩ的寬泛電阻範圍

Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度

Vishay推出新小型雙二極體ESD保護陣列 (2008.06.05)
Vishay宣佈推出新小型雙二極體ESD保護陣列，旨在保護兩個高速USB埠或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態電壓信號干擾。 VBUS052BD-HTF採用無鉛LLP75封裝，尺寸為1.6 mm×1.6 mm，厚度為0.6 mm

Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件

Vishay推出增強型PowerBridge整流器系列器件 (2008.05.30)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出增強型高電流密度PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為10A至25A，最大額定峰值反向電壓為600V至1000V。與市面上體積更大的橋式整流器相比，PowerBridge器件更為先進的熱構造可提升散熱效率