CTIMES - Nand

ST、Intel及FRANCISCO的恆憶合資案完成交易 (2008.04.01)
意法半導體與英特爾及Francisco Partners公司宣佈日前公佈的Numonyx合資案已完成交易。交易完成後，意法半導體以NOR和NAND快閃記憶體的資產和業務資源（包括相變記憶體資源和NAND的合資公司），取得Numonyx(恆憶)48.6%的股權和1.556億美元的長期次級票券，這些長期票券將產生按適當的市場利率計算之利息收益

東芝正式量產128GB多層NAND Flash固態硬碟 (2008.03.24)
位於美國的東芝電子（Toshiba America Electronic Components）近日宣佈，東芝將開始量產使用多層NAND快閃記憶體架構的固態硬碟（SSD）。這是該公司首次正式量產多層NAND快閃記憶體架構的固態硬碟晶片，預估最早上市出貨的產品將是嵌入式的128GB記憶體模組產品，重量約為15g

iSuppli:Q2將是08年下半年半導體市場的關鍵指標 (2008.03.10)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，原先預期2008年全球半導體市場的銷售收入將快速成長，成長率將從2007年的4.1%提高到7.5%。但由於價格疲軟與NAND快閃記憶體需求減少等因素，iSuppli預計將微幅下調今年半導體市場的成長預期

東芝將投資興建兩座NAND Flash工廠 (2008.02.22)
東芝將投資興建兩座月產能40萬片NAND Flash工廠。據了解，東芝將於2009年春季分別在日本岩手縣北上市和三重縣四日市同時興建兩座工廠，並計畫於2010年正式量產。預計產能為每座工廠每月15萬～20萬片，總產能將達每月30萬～40萬片，而總投資額將超過1兆7000億日圓（約158億美元）

美光今年將推出35nm多層架構的SSD硬碟 (2008.01.23)
美光科技（Micron Technology）2008年將正式推出35奈米製程的多層架構的SSD（solid state drive）固態硬碟產品。據了解，美光2008年將著力於SSD業務上，以加速取代目前的傳統硬碟

東芝和SanDisk共同發表43nm製程NAND Flash (2007.12.25)
東芝與美國SanDisk共同發表了採用43nm製程，和2bit/單元多層技術所生產的16Gbit NAND快閃記憶體。這種晶片面積僅120平方公厘，可封裝在超小型儲存卡microSD內。新產品配備了控制柵極驅動電路和存儲陣列上的電源匯流排，NAND串數延長至66個，並減小電路面積達9％以上

海力士成功開發24層NAND Flash堆疊封裝技術 (2007.09.13)
海力士半導體（Hynix Semiconductor）成功開發出24層堆疊、每層厚度為25μm的NAND型快閃記憶體，總厚度為1.4mm的MCP多晶片封裝。這是在目前的MCP產品之中，堆疊層數最多的一次

東芝和SanDisk合資的NAND Flash新廠完工啟用 (2007.09.07)
東芝和SanDisk共同在四日市舉行了NAND型快閃記憶體新廠（Fab4）完工啟用典禮。東芝社長西田厚聰表示記憶體業務是「利潤成長」目標具體化的表現，並表示Fab4廠擁有三個世界第一的頭銜

IC產品破繭催生嶄新市場研討會 (2007.08.22)
從任天堂的Wii藉由MEMS製程開發出Motion Sensor，使人機互動更趨人性化，到蘋果推出i-Phone手機藉著觸控面板技術，成功將複雜多媒體手機簡單化，進而吸引了其它諸如手機、MP3 Player、PND、甚至UMPC等可攜式電子業者競相投入觸控面板之應用開發

第二季NAND Flash市場規模擴大價格上漲為主因 (2007.08.20)
市調機構iSuppli公佈了2007年第二季（4～6月）NAND快閃記憶體的市調結果。資料顯示全球市場規模比去年同期成長了10.2％，比上季成長14.4％、達到30億1200萬美元。第二季NAND快閃記憶體市場改變了第一季市場需求低迷的態勢，由於各廠商的出貨量減少，使得第二季NAND快閃記憶體的出貨量減少，也導致平均售價上漲

NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
為了持續提高NAND Flash的儲存容量與密度，東芝（Toshiba）計畫一改過去持續挑戰半導體製程極限的作法，轉而透過3D結構以提高NAND Flash的儲存密度。此外，其他記憶體廠商也都不斷開發新技術以取代傳統浮動閘極（floating gate）結構之NAND Flash，藉此解決該技術容量極限難以突破的問題

都是價格考量拉～ (2007.06.28)
都是價格考量拉～

2009年筆記型電腦的SSD使用率將達到12％ (2007.06.27)
固態硬碟（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市調機構紛紛提出該市場的未來預測。iSuppli便指出，SSD佔有率到2009年底將達到12％。而預計同時使用硬碟和快閃記憶體的混合型硬碟佔有率將達到35％

東芝發表三維陣列NAND快閃記憶體 (2007.06.14)
東芝發表了新一代的NAND快閃記憶體技術。據了解，東芝成功研發了不必依賴微細化而能增大NAND快閃記憶體容量的儲存單元排列技術。在柵極電極膜和絕緣膜交互層疊的結構上，打入貫通上層到下層的小孔，在柱狀空隙中填入含雜質的矽

東芝率先推出採用SSD硬碟之筆記型電腦 (2007.06.11)
東芝率先使用SSD固態硬碟於筆記型電腦上。據了解，東芝於今年6月5日發表的筆記本電腦Dynabook SS RX1，其八款型號中已有三款配備了使用NAND快閃記憶體的固態硬碟（solid state drive；SSD）

SSD將是NAND快閃記憶體未來最大應用領域 (2007.05.22)
美光科技（Micron Technology）在Flash Memory Technology Direction研討會上表示，SSD將決定NAND Flash的未來。美光Memory Products Group首席應用工程師Jim Cooke在演講時指出，快閃記憶體在性能、可靠性、耐久性、耗電、尺寸、重量、耐衝擊性、溫度等方面均勝過硬碟，缺點在於容量和單位容量的成本較高

2009年將有半數NB採用NAND Flash儲存資料 (2007.05.04)
根據一份由iSuppli所調查的最新研究報告指出，到了2009年第四季，超過一半的筆記型電腦將會內建NAND快閃記憶體作為資料儲存介面，而這也位NAND快閃記憶體的市場發展前景注入一劑強心針

SanDisk 與奇夢達共同開發行動儲存解決方案 (2007.04.27)
SanDisk與奇夢達達成協議，將運用SanDisk的NAND快閃記憶體與控制晶片，以及Qimonda的低功耗行動DRAM，聯合開發與製造多重晶片（Multichip；MCP）。這項合作是針對手機市場對於高容量、高度密集資料處理迅速成長的需求所設計

2006年手機快閃記憶體排名Spansion市場第一 (2007.04.09)
美國iSuppli調查公司公佈了2006年手機快閃記憶體儲存裝置的市佔率排名。Spansion超過2005年第一名的Intel，位居2006年榜首，比2005年成長4.1％，市佔率為29.9％。Spansion的手機用NOR快閃記憶體銷售額比2005年成長35％，達到18億美元，成長速度比起市場整體成長速度16.4％還要快上兩倍

三星新款NAND記憶體具備更高靈活性 (2007.04.03)
南韓三星電子（Samsung Electronics）將於本月起推出新款的NAND快閃記憶體Flex-OneNAND。該款快閃記憶體的特點在於設備廠商可根據應用的不同，自行設定成本與性能的平衡點。在該款NAND快閃記憶體的記憶單元中，2bit/單元的多值單元（Multi-Level Cell；MLC）與1bit/單元的SLC的比率可自由設定