CTIMES - 快閃記憶體

MIC提醒：韓系半導體業者動態須密切注意 (2014.09.19)
儘管資策會MIC對於全球乃至於台灣的半導體產業在2014年的表現抱持十分樂觀的態度，但是資策會MIC產業顧問兼主任洪春暉也提醒，韓系記憶體大廠乃至於三星的動態，必須密切關注

TrendForce：供過於求情況不再 DRAM獲利回穩 (2014.05.06)
隨著先前記憶體市場的整併潮已告一段落，目前全球記憶體市場的供需狀況，已經相對健康許多，所謂的供過於求的情形已不復見。根據TrendForce表示，DRAM市場今年起呈現交投清淡的走勢，無論現貨商或模組廠多維持較低的庫存水位，大廠逐步將產能從標準型記憶體轉向行動式記憶體，供貨吃緊讓現貨市場底部價格確立

LSI 推全新Nytro系列PCIe快閃記憶體加速卡 (2013.12.03)
LSI公司宣佈為其Nytro系列的PCIe快閃記憶卡產品陣容增加Nytro XP6200系列。全新的Nytro XP6200系列可為超大型雲端資料中心的各種密集型讀取應用提供加速效能、最佳化功耗和散熱功能，也能夠為每GB的PCIe快閃記憶解決方案帶來更低的整體成本

英飛凌與格羅方德共同開發 40nm嵌入式Flash製程 (2013.04.30)
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發並合作生產 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重於以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發，以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造

Spansion量產高密度單晶片512Mb串列式快閃記憶體 (2012.04.03)
Spansion(美商飛索國際)日前宣佈其512Mb Spansion FL-S Serial(SPI)NOR型快閃記憶體已進入量產階段，此產品特色為最高密度單晶片串列式快閃記憶體。業者宣稱，Spansion FL-S 產品家族涵蓋128Mb 到1Gb，為業界最領先的程式運算速度，其速度較競爭產品快三倍以上，且讀取速度在雙倍數據速率(DDR)上超過其他產品20%

瑞薩開發汽車即時應用之嵌入式快閃記憶體IP (2011.12.22)
瑞薩電子（Renesas）日前宣佈已開發出一款適用於汽車即時應用領域之40奈米（nm）記憶體智慧財產權（IP）。瑞薩亦使用上述40奈米快閃記憶體技術，針對汽車應用領域推出40奈米嵌入式快閃記憶體微控制器（MCU），其樣品將於2012年秋季開始供應

LSI已與SandForce簽訂最終收購協議 (2011.11.01)
LSI 公司於今（1）日宣佈，已與SandForce簽訂最終收購協議，SandForce為快閃記憶體儲存處理器供應商，提供企業端和消費端快閃記憶體解決方案和固態硬碟。根據此收購協議，LSI 將以現金支付約3.22億美金，並且將承擔價值約4800萬美元之尚未取得所有權的股票選擇權，以及員工所持有的限制性股票

Spansion推出串列式快閃記憶體可擴充至8位元 (2011.10.03)
Spansion推出採用65奈米的Spansion FL-S NOR Flash記憶體系列產品，為高速串列式快閃記憶體，此系列產品具備雙倍資料率（Double Data Rate, DDR）讀取速度以及更快的編程速度。 Spansion表示，FL-S提供車用等級的溫度運作範圍，甚至在某些產品中無需使用DRAM

Spansion 4Gb NOR Flash 帶來互動即時的全新體驗 (2011.08.26)
Spansion近日推出65奈米製程的單晶片4Gb NOR Flash產品。4Gb的Spansion GL-S具備高品質與高速讀取性能，為遊戲與車用電子中的互動式圖片、動畫及影片應用帶來更佳的使用者體驗

美光推出創新快閃記憶體裝置延長記憶體壽命 (2010.12.26)
美光科技 (Micron) 於日前宣佈，推出新型高容量快閃記憶體產品組合，將可延長未來 NAND 記憶體的產品壽命。該新款 ClearNAND 裝置將錯誤管理技術整合在同一個 NAND 封裝內，解決了 NAND 傳統上面臨製程微縮的問題

Spansion與爾必達宣佈共同拓展快閃記憶體事業 (2010.07.30)
爾必達與快閃記憶體方案領導廠商Spansion於日前宣布，共同研發NAND製程技術與產品，包含納入一項NAND Flash的晶圓代工服務協議。爾必達也取得Spansion NAND IP技術的非獨家授權，該項技術乃是以其MirrorBit的電荷捕獲技術（charging-trapping technology）作為基礎

Spansion推出90奈米256Mb MirrorBit SPI多重I/O產品 (2010.04.01)
Spansion週三（3/31）宣佈，該公司為機上盒、數位電視、工業設計，以及晶片組的製造商等客戶，推出90奈米256Mb的MirrorBit多重I/O序列式週邊介面（SPI）快閃記憶體裝置最新樣品

ST推出內嵌90nm製程快閃記憶體的微控制器 (2010.03.22)
意法半導體（ST）於日前宣佈，推出內嵌90nm製程快閃記憶體的微控制器，其整合針對工業標準的ARM Cortex-M3，內核最佳化的自適應實時（ART）記憶體加速器，進一歨提升STM32微控制器系列的性能和功耗

意法半導體推出配備1MB快閃記憶體的微控制器 (2010.03.21)
意法半導體（ST）於日前宣佈，已擴大STM32 微控制器産品陣容，增加更多特性和最高1MB的片上快閃記憶體。 ST表示，隨著STM32 XL高密度産品的發佈，意法半導體現有的STM32微控制器產品系列已達99款

恆憶推出新款串列式快閃記憶體解決方案 (2010.03.09)
恆憶（Numonyx）近日宣佈，推出首款65奈米多路輸入輸出串列式快閃記憶體（serial flash memory）系列產品，滿足嵌入式市場嚴格編碼和資料儲存的可靠性要求。新的Numonyx Forté N25Q系列串列式快閃記憶體可為當今電腦、機上盒和通訊設備的主流嵌入式應用提供最高的讀寫效能、設計靈活性和應用可靠性

ST退出快閃記憶體業務恆憶併入美光科技 (2010.02.11)
意法半導體（ST）今（11）日宣佈，意法半導體、英特爾（Intel）及Francisco Partners三方，與美光科技（Micron Technology Inc.）簽署正式併購協議。根據協議，美光將以全額股票形式收購恆憶控股公司（Numonyx Holding B.V.）

三星量產新30nm記憶體晶片讀寫達133Mbps (2009.12.02)
外電消息報導，三星電子日前宣佈，將開始量產兩款30奈米製程的NAND快閃記憶體晶片。其中一款將採類似DDR記憶體的雙通道傳輸技術，其讀取頻寬將是傳統快閃記憶體晶片的3倍左右，最高可達133Mbps

旺宏電子推出全新256Mbit序列快閃記憶體 (2009.11.01)
旺宏電子於日前宣佈推出256Mbit序列快閃記憶體產品─MX25L25635E。此產品採用32位元定址技術，利用簡單的切換方式，即可讓128Mbit記憶體容量提高至256Mbit或更高，並且還提供了能往後相容於既有24位元定址的模式，使得系統工程師及製造商不需重大改動即可大幅地提高原有產品的功能及效能

Gartner發佈2010年十大技術與趨勢 (2009.10.30)
市場研究與顧問公司Gartner，於週五（10/30）發表了2010年十大技術與趨勢。其中雲端運算、虛擬化、綠色IT及社交網路已連續兩年被列為十大重要技術，至於快閃記憶體、安全活動監控與無線應用，則是來年非常值得關注的市場趨勢

Spansion Q2財訊披露公司重整進度 (2009.08.03)
Spansion Inc.近日公佈了截至2009年6月28日的第二季財務訊息摘要，披露該公司的重整進度。Spansion之子公司，Spansion日本有限公司，已於2009年3月3日在日本展開公司重整。此財務訊息是依照美國一般公認會計原則（GAAP），Spansion之財報不得與Spansion日本有限公司財報合併