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美光推出創新快閃記憶體裝置 延長記憶體壽命
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2010年12月26日 星期日

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美光科技 (Micron) 於日前宣佈,推出新型高容量快閃記憶體產品組合,將可延長未來 NAND 記憶體的產品壽命。該新款 ClearNAND 裝置將錯誤管理技術整合在同一個 NAND 封裝內,解決了 NAND 傳統上面臨製程微縮的問題。美光的 ClearNAND 產品組合使得先進的 NAND 技術,得以有效應用於企業伺服器、平板電腦、可攜式媒體播放器等多種電子消費品中。

美光推出創新快閃記憶體裝置 延長記憶體壽命
美光推出創新快閃記憶體裝置 延長記憶體壽命

美光 ClearNAND 產品採用傳統的 NAND 晶粒介面,另外專為高容量和高效能的應用新增功能。隨著產業逐漸超越了 20nm 的規格,快閃記憶體管理也日趨困難,由於位元錯誤 (bit error) 情況大幅增加,影響 NAND 快閃記憶體的運作效能和可靠性。美光將錯誤管理技術與 NAND 裝置緊密結合於同一封裝中,持續提供客戶最大容量和最低單位位元成本的快閃記憶體解決方案。美光提供標準型 (Standard) 和加強型 (Enhanced) 兩種版本的 ClearNAND 產品,均率先採用 25nm MLC 製程。

美光標準型 ClearNAND 產品提供從 8 到 32 GB 等封裝,相較於 NAND 晶粒,其特色在於可透過最少程度的協議調整 (protocol changes) 來解決主處理器上錯誤修正碼 (ECC) 產生的負擔。標準型 ClearNAND 產品組合是專門為可攜式媒體播放器等消費性電子裝置所設計。

加強型 ClearNAND 產品除了前述從主處理器上移除錯誤修正碼負擔的功能外,更提供專為企業設計的新型功能,以利大容量的設計,使產品效能和可靠性都更上一層樓。該產品提供 16 到 64 GB 容量的封裝。美光表示,加強型 ClearNAND 產品專為企業和運算等應用設計,也是業界首次將領先的 25 nm MLC NAND 技術應用在這些領域。美光標準型和加強型 ClearNAND 產品現已上市。

關鍵字: 快閃記憶體  美光 
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