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工研院组队亮相NEPCON JAPAN 展现研制AI、车用半导体实力 (2026.01.22)
迎合AI基础建设与电动车创造庞大能源需求，工研院近期叁与日本国际电子制造关连展（NEPCON JAPAN），便以「车用碳化矽技术解决方案」、「直流电网技术解决方案」及「氮化??元件整合封装解决方案」3大主题，展示逾14项前瞻技术成果，并携手台湾厂商，加速研发成果产业化与国际布局，持续强化在先进电子与半导体领域的竞争优势 |
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工研院组队亮相NEPCON JAPAN 展现研制AI、车用半导体实力 (2026.01.22)
迎合AI基础建设与电动车创造庞大能源需求，工研院近期叁与日本国际电子制造关连展（NEPCON JAPAN），便以「车用碳化矽技术解决方案」、「直流电网技术解决方案」及「氮化??元件整合封装解决方案」3大主题，展示逾14项前瞻技术成果，并携手台湾厂商，加速研发成果产业化与国际布局，持续强化在先进电子与半导体领域的竞争优势 |
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GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄准AI资料中心与高功率工业应用 (2025.11.13)
面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑 |
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GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄准AI资料中心与高功率工业应用 (2025.11.13)
面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑 |
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Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统 |
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Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统 |
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工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力，兼顾在高压、高温下稳定运行，使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成为该领域深受关注的元件材料 |
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工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力，兼顾在高压、高温下稳定运行，使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成为该领域深受关注的元件材料 |
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工研院SiC技术亮相日本 助攻电动车产业升级 (2025.01.22)
工研院於日本国际电子制造关连展发表车用碳化矽（SiC）解决方案，吸引逾8万人次叁观，并与车厂及零件商洽谈合作。
(圖一)工研院携手台达共同展出1200V/660A T2系列碳化矽功率模组
工研院展示了与台达电共同开发的SiC功率模组，可提升电动车动力效能、延长续航里程并加速充电 |
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工研院SiC技术亮相日本 助攻电动车产业升级 (2025.01.22)
工研院於日本国际电子制造关连展发表车用碳化矽（SiC）解决方案，吸引逾8万人次叁观，并与车厂及零件商洽谈合作。
工研院展示了与台达电共同开发的SiC功率模组，可提升电动车动力效能、延长续航里程并加速充电 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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电动压缩机设计核心-SiC模组 (2024.09.29)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心零组件，对於电驱动系统的温度控制具有重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程均至关重要，本文主要讨论SiC MOSFET 离散元件方案 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
