帳號:
密碼:
相關物件共 2
加拿大IP公司控IBM侵犯6項DRAM專利 (2009.07.19)
外電消息報導,加拿大一家IP授權公司Mosaid,上週在美國特拉華州地方法院,對IBM提出了侵權指控,指IBM侵犯了該公司6項與DRAM記憶體技術有關的專利。 Mosaid表示,這些專利是與DRAM記憶體技術的元件有關
專利侵權告不完 Mosaid宣布已與三星和解 (2005.01.24)
據外電消息,加拿大半導體廠商Mosaid Technologies於2001年在美國控告南韓三星電子(Samsung Electronics)侵犯該公司7項DRAM科技專利權,日前Mosaid表示該訴訟已與三星達成和解,雙方將簽訂為期5年的授權協定,由三星支付Mosaid權利金;但雙方並未透露相關細節


  十大熱門新聞
1 Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統
2 Basler全新小型高速線掃描相機適合主流應用
3 宇瞻智慧物聯展示ESG監控管理與機聯網創新方案
4 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
5 SCIVAX與Shin-Etsu Chemical聯合開發全球最小的3D感測光源裝置
6 宜鼎推出DDR5 6400記憶體 同級最大64GB容量及全新CKD元件
7 瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理
8 Bourns SA2-A系列高壓氣體放電管新品符合AEC-Q200標準
9 三菱電機新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器
10 意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw