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RFMD推出GaN高功率電晶體系列產品 (2006.06.15)
針對趨動行動通訊，設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RFMD發表其Gallium Nitride (GaN)高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor HEMT)高功率電晶體產品系列，並宣佈提供樣品予手機廠商及WiMAX基地台客戶 |
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RFMD單階RF3807和RF3809預驅動功率放大器問世 (2005.03.29)
無線通信應用領域的領先專用射頻積體電路(RFIC)供應商RF Micro Devices,Inc.公司推出兩款針對蜂窩基地台應用的新型砷化鎵異質結構雙極電晶體(GaAsHBT)預驅動功率放大器(PA) |
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