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Crolles2聯盟邁向新一代量產製程技術 (2005.06.21)
Crolles2聯盟日前公佈了一份在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)文件，描述使用傳統大量CMOS製程技術與45奈米設計規則，在量產條件下建構面積小於0.25平方微米的6電晶體結構SRAM單元 |
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Crolles2聯盟成員ST、Philips與Freescale (2005.02.17)
三家Crolles2聯盟的成員─飛思卡爾半導體、飛利浦以及意法半導體宣佈，已經在半導體研發領域的合作範圍由原先的小於100nm CMOS製程技術，擴至相關的晶圓測試及封裝領域 |
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freescale與TSMC聯合開發SOI前段技術 (2004.10.14)
飛思卡爾半導體已和台積電(TSMC)簽訂合約，聯合開發新一代的絕緣層上覆矽(SOI)高效能晶片前段技術，目標將鎖定在開發65奈米互補金屬氧化半導體(CMOS)的先進製程節點。這份為期三年的合約同時也賦予台積電(TSMC)製造權，可利用飛思卡爾的90奈米絕緣層上覆矽(SOI)技術製造產品 |
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摩托羅拉推出MRAM晶片 (2003.10.29)
摩托羅拉公司於27日表示，該公司已經製造出 4 兆位元的磁電阻式隨機存取記憶體晶片。特定的客戶目前正在評估這項先進晶片技術的樣品。這項技術里程碑，進一步證實了 MRAM 有可能取代多種現有的記憶體技術的可行性 |
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摩托羅拉推出MRAM晶片 (2003.10.29)
摩托羅拉公司於27日表示，該公司已經製造出 4 兆位元的磁電阻式隨機存取記憶體晶片。特定的客戶目前正在評估這項先進晶片技術的樣品。這項技術里程碑，進一步證實了 MRAM 有可能取代多種現有的記憶體技術的可行性 |
