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CISSOID推出新款隔離DC-DC轉換器平台 (2010.07.08)
高溫半導體方案供應商CISSOID近日宣佈，推出全新STROMBOLI技術，一個用於高溫、高壓具彈性與可擴展的參考設計和開發板，能從-55°C至+225°C高效率運行的隔離式DC-DC轉換器
CISSOID推出新系列高溫小信號晶體管 (2009.11.30)
高溫半導體方案供應商CISSOID，近日推出新產品的行星家族高溫晶體管和開關。汞是一種高溫80V的小信號N溝道MOSFET晶體管，其保證的工作溫度範圍為攝氏負55度至225度。憑藉其極端溫度的魯棒性，其輸入電容僅為32pF，在225度其柵極洩漏限於5.6μA，這80V的晶體管適合用於高溫度傳感器接口，如壓電式傳感器或執行一個保護放大器


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