帳號:
密碼:
相關物件共 6
TI推出矽鍺互補雙極-CMOS製程技術 (2002.08.07)
德州儀器(TI)7日推出矽鍺互補雙極-CMOS製程技術,速度比現有互補雙極製程增加三倍。新矽鍺製程是業界率先整合NPN和PNP雙極電晶體的製程技術,可將運算放大器和其它高效能混合信號元件的速度提高三倍,雜訊減少一半
IBM、SONY、東芝合作半導體技術 (2002.04.03)
國際商業機器公司(IBM)、東芝公司和Sony公司決定擴大既有的聯盟,將共同發展先進的積體電路製程技術。該計畫旨在以IBM矽絕緣層晶片(SOI)新製造技術為基礎,研發先進的半導體製程技術
AMD將延後兩款新處理器推出時程 (2001.04.30)
超微(AMD)表示,將延後該公司原訂在2002年第一季推出的Hammer系列處理器的第一款,稱為「Clawhammer」,及於2002年第二季接著推出以伺服器為導向的「Sledgehammer」兩款新處理器的推出日期約六個月
IBM努力推廣絕緣層晶片 (2001.03.30)
引述CNET的報導表示,IBM正努力推廣絕緣層晶片(silicon-on-insulator,簡稱SOI)製程技術,希望藉授權、代工製造協議和實際運用於自家晶片等方式,加速市場接納腳步。IBM聲稱,在電晶體與矽質基底之間放置一層絕緣體(氧化物),可提升晶片執行效率多達30%,或者降低耗電量超過50%,對於製造用於伺服器和掌上電腦的省電型晶片最有益
SOI製程技術深受各大廠青睞 (2000.10.17)
國際商業機器公司(IBM)22日推出一批伺服器電腦,首次內建以先進「絕緣層晶片」(silicon-on-insulator,簡稱SOI)製程技術生產的微處理器,據稱效能可比現有技術提升20%到30%
TI發表以DSP為基礎的單晶片發展藍圖 (1999.12.09)
德州儀器(TI)宣佈揭露一個宏偉的DSP發展藍圖,承諾在公元2005年以前,將系統的運算效能提升15倍以上,到了公元2010年更將超過230倍。運算效能的提高,再加上更低的功率消耗和更小的體積需求


  十大熱門新聞
1 Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統
2 Basler全新小型高速線掃描相機適合主流應用
3 宇瞻智慧物聯展示ESG監控管理與機聯網創新方案
4 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
5 瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理
6 宜鼎推出DDR5 6400記憶體 同級最大64GB容量及全新CKD元件
7 SCIVAX與Shin-Etsu Chemical聯合開發全球最小的3D感測光源裝置
8 三菱電機新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器
9 Pilz安全可配置小型控制器PNOZmulti 2適用於分散式周邊設備
10 Bourns SA2-A系列高壓氣體放電管新品符合AEC-Q200標準

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw