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Valeo將與ROHM合作開發新世代功率電子 (2024.11.26)
汽車零組件製造商Valeo Group與ROHM將融合雙方在功率電子領域的技術優勢，聯合開發牽引逆變器的新一代功率模組。ROHM為Valeo的新一代動力總成解決方案提供碳化矽（SiC）封裝模組「TRCDRIVE pack」 |
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筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）攜手美商泰瑞達（Teradyne）近日舉辦年度壓軸「化合物半導體與矽光子技術研討會」。本次活動由國立陽明交通大學、中原大學電子工程學系共同主辦，打造產官學交流平台 |
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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展，並加入人工智慧（AI）普及化、節能減碳等熱門議題引發關注，意法半導體（ST）也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽（SiC）等高效解決方案，探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色，使其更易於普及，讓每個人都能受益 |
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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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意法半導體公布第三季財報 業市場持續疲軟影響銷售預期 (2024.11.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）公布依照美國通用會計準則（U.S. GAAP）編制截至2024年9月28日的第三季財報。意法半導體第三季淨營收達32.5億美元，毛利率37.8%，營業利潤率11.7%，淨利潤為3.51億美元，稀釋每股盈餘37美分 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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化合物半導體設備國產化 PIDA聚焦產業鏈發展 (2024.10.27)
為推動化合物半導體設備國產化，經濟部產業署委託金屬中心及光電協進會(PIDA)，於10月24日在台北南港展覽館舉辦「化合物半導體設備產業的前瞻未來」研討會。
研討會邀請穩晟材料、台灣鑽石工業、蔚華科技、致茂電子及台灣彩光科技等業界專家 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體，為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化矽（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計 |
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英飛凌HybridPACK Drive G2 Fusion結合矽和碳化矽至電動汽車先進電源模組 (2024.10.16)
英飛凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，為電動汽車領域的牽引逆變器確立新的電源模組標準。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技術，可隨插即用的電源模組 |
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是德科技3kV高電壓晶圓測試系統專為功率半導體設計 (2024.10.15)
是德科技（Keysight）推出4881HV高電壓晶圓測試系統，擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現高達3kV的參數測試，支援一次性完成高、低電壓測試，進而提高功率半導體製造商的生產效率 |
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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用 |
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數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新 |
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電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件，對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要，本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案 |
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用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放，世界各國政府紛紛推出立法，要求提高電動馬達的效率。 |
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機械聚落結盟打造護國群山 (2024.09.27)
受惠於當今人工智慧（AI）驅動全球半導體產業顯著增長，從材料到技術的突破，更仰賴群策群力，半導體技術也需要整合更多不同資源，涵括先進與成熟、前後段製程設備，才能真正強化供應鏈韌性與創新實力 |
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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統（UPS）等工業設備 |
