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應用材料推出業界第一套化學氣相沉積TiSiN製程 (2001.03.28)
應用材料日前宣佈推出業界第一套化學氣相沉積TiSiN阻障層（barrier）製程，持續強化在銅製程技術的領導地位。運用應用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障層／種晶層設備平台，結合應用材料現有的自行離子化電漿（SIP：Self Ionized Plasma）物理氣相沉積銅反應室，化學氣相沉積TiSiN製程不僅支援200mm與300mm製程，並且針對下一代0 |
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