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從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案 |
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新唐科技全新M2L31 微控制器滿足高效能嵌入式計算需求 (2024.06.25)
高效能及低功耗成為產品設計的重要關鍵之一，新唐科技推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。為滿足對高效能嵌入式計算需求日益增長的需求。新唐 NuMicro M2L31 微控制器，採用 Arm Cortex-M23 核心，並配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（電阻式記憶體）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款為可持續性和優異能效設計的低功耗產品 |
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聯電持續深化智財權管理 獲TIPS AA級認證 (2022.12.30)
聯華電子今（30）日宣布，繼2021年首次導入「台灣智慧財產管理制度」（Taiwan Intellectual Property Management System；TIPS），並獲得A級認證以後，2022年以相關管理措施再獲TIPS AA級認證肯定 |
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力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成 |
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ISSCC 2021國際固態電路研討會線上舉辦 台灣產研論文再創佳績 (2020.11.18)
在全球先進半導體與固態電路領域研發趨勢被視為領先指標的國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC），2021年年會受到COVID-19疫情的影響，預計於2021年2月14~18日以線上虛擬會議方式展開 |
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Dialog非揮發性電阻式RAM技術 授權格羅方德22FDX平臺 (2020.10.20)
英商戴樂格半導體(Dialog Semiconductor)為電池與電源管理、Wi-Fi、藍牙低功耗(BLE)方案及工業邊緣計算方案供應商，今天與特殊工藝半導體代工廠格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)聯合宣佈，已就Dialog向格羅方德授權導電橋接RAM（CBRAM）技術達成協議 |
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實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可節省達 90% 的功耗。這些功耗與面積成本優勢，使得MRAM成為邊緣裝置的理想選擇。 |
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富士通推出全球最高密度8Mbit ReRAM產品 (2019.08.08)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司 (以下稱富士通) 今日宣布推出8Mbit ReRAM「MB85AS8MT」，此款全球最高密度的ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)合作開發，將於今年9月開始供貨 |
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應用材料實現物聯網與雲端運算適用的新型記憶體技術 (2019.07.23)
應用材料公司因應物聯網 (IoT) 和雲端運算所需的新記憶體技術，推出創新、用於大量製造的解決方案，有利於加快產業採納新記憶體技術的速度。
現今的大容量記憶體技術包括 DRAM、SRAM 和快閃記憶體，這些技術是在數十年前發明，已廣為數位裝置與系統所採用 |
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愛德萬測試研發出用於記憶測試系統STT-MRAM的切換電流測量系統 (2018.11.21)
半導體測試設備供應商愛德萬測試宣布其與日本東北大學創新整合電子系統中心〈CIES〉的合作，本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持，成功地研發出高速、高精確度模組，可以測量磁性隨機存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流，這是眾所期待用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術，運作速度為微安培/奈米秒 |
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旺宏電子3D NAND記憶體等四篇論文入選2017 IEDM (2017.11.29)
旺宏電子今日宣布，今年計有四篇論文入選國際電子元件大會IEDM，其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為”亮點論文”（Highlight Paper），是今年台灣產學研界唯一獲選的亮點論文 |
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松下與聯華電子合作開發新一代可變電阻式記憶體量產製程 (2017.02.08)
松下電器半導體（PSCS）已與聯華電子（UMC）達成一項協議，雙方將合作開發新一代40nm 可變電阻式記憶體(ReRAM)的量產製程。
ReRAM與目前廣泛應用的快閃記憶體十分相似，是一種非揮發性記憶體 |
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Intel的RAM、ROM情結 (2015.08.11)
很久以前，在Andy Grove主導Intel的時代，Intel的DRAM業務因日本DRAM（如NEC，之後成為Elpida）的大舉進攻而虧損，最後被迫關閉該業務，全心轉型、聚焦發展CPU。
但DRAM與PC息息相關 |
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旺宏電子五篇論文入選2013 VLSI技術會議 (2013.06.13)
全球超大型積體電路技術及電路國際會議( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即將於6月11日至14日於日本舉辦。旺宏電子今年共有六篇論文獲選：其中一篇入選電路會議(VLSI Circuits) |
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[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天，智慧手機消費型設備，例如平板電腦和智慧手機，強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年，平板電腦的市佔率將不斷增加，目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND，一位市場分析師預測：2011 至 2015 年之間， NAND的市場複合年增長率將達到 7% |
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聯發科-谷底重生的中國巨人 / Beyond Wi-Fi (2012.11.09)
曾跌落谷底的聯發科，晶片在中國又再賣翻天。
聯發科有多強？憑什麼讓Qualcomm市場難做？
台灣又該如何仿效，分食到中國肥美的市場呢？
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如何讓晶片記憶更多？Rice大學和惠普告訴您 (2010.09.01)
有沒有另一種新的半導體技術，能夠在更短的時間內縮小晶片尺寸、又能提高儲存容量？答案正在呼之欲出。美國德州萊斯大學（Rice Univ.）的科學家們與惠普（HP）的研發團隊不約而同地，在這禮拜公佈兩項關鍵技術和合作計畫，宣佈可以克服最基本的物理限制，能夠更快速地將記憶體晶片微型化，他們認為是消費電子晶片的革命性突破 |
