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凌華科技推出SMARC規格嵌入式電腦LEC-3517 (2014.04.22)
凌華科技發佈基於ARM架構的SMARC(Smart Mobility Architecture)電腦產品 LEC-3517。凌華科技LEC-3517採用TI AM3517單晶片系統SoC(System on Chip),搭配600MHz的ARM Cortex-A8處理器,功率低至2瓦以下
英飛凌量產0.11微米製程 (2003.04.30)
英飛凌科技(Infineon)宣佈該公司的0.11微米DRAM產品已進入量產階段。以全新的0.11微米製程所製造的高密度256Mb DRAM樣品,不僅獲得英特爾的驗證,並已出貨予各地之策略夥伴
英飛凌將量產0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
繼韓國三星日前宣佈以0.11微米量產DRAM後,德商DRAM廠英飛凌也宣佈以0.11微米溝槽式(Trench)製程試產256Mb DRAM,並且獲得英特爾驗證,目前已進入量產階段,未來該製程將授權華邦、華亞、中芯等策略夥伴
力晶明年第一季12吋廠產能開出 預計成長110% (2002.12.24)
近日力晶半導體宣佈,明年第一季12吋晶圓廠產能開始營運,預計明年第一季生產700萬顆256Mb DRAM,明年6月月產量將超過600萬顆,全年DRAM產能成長率較今年成長110%以上。有鑑於力晶12吋廠明年初即投產
力晶、三菱、Elpida宣布策略聯盟 (2002.10.03)
昨日力晶與三菱電機、Elpida對外宣布,將共同成立研發、生產與銷售合作策略聯盟關係,此一聯盟獲NEC、日立的支持。力晶半導體董事長黃崇仁指出,根據協議,力晶12吋廠將持續以三菱電機的0.13微米技術,切入量產DRAM產品,三菱也將繼續支援力晶,將0.13微米製程微縮到0.12微米
Q4旺季到 DRAM市場價格上揚 (2002.10.01)
DRAM現貨市場30日全面翻揚,加上南韓三星準備調高DDR10月合約價;業者預期本季市場需求較第三季成長30﹪,256Mb DDR合約價上看7.5美元,現貨價已展開追價。 由於第三季DRAM市場需求不如預期,國際大廠備料時程延後,9月下旬許多通路商庫存降到低水位,聖誕節備料行情將於10月展開,上周末已有模組廠商大舉購料,帶動現貨價揚升
日DRAM大廠Elpida 不景氣中力求生存 (2002.09.24)
據外電報導,在全球PC不景氣聲中,DRAM廠在競爭之下不得不四處尋找生存之道﹔日本最大DRAM製造商Elpida也被迫採取行動,包括尋求外資、轉型為晶圓代工廠、或購併其他公司的DRAM部門等策略,都在該公司考量的方案中
力晶12吋製程良率達80% (2002.09.17)
自今年3月裝機、6月試產後,DRAM廠力晶半導體昨日對外宣布,第一批試產0.13微米12吋晶圓良率高達80%,整體良率達50%。力晶半導體董事長黃崇仁指出,第一批試產晶圓成功,證明該公司已掌握12吋晶圓的製程設備,以及0.13微米DRAM產品的設計等,與全球DRAM同業相較,力晶創下全世界最快試產成功的紀錄
256DRAM躍居市場主流 (2002.08.06)
根據世界半導體貿易統計協會最新調查報告,市場主流已更換了!全球256Mb DRAM產出量首次超過128Mb DRAM,並且佔全球DRAM總產出的51%,256Mb DRAM顯然躍居DRAM市場主流。 據該協會資料顯示
DRAM市場回春 (2002.07.12)
DRAM市場經過了長期的需求不振後,11日終於出現OEM電腦大廠透過通路商採購動作,而通路業者也出現了近四個月來最積極的報價,加上包括Hynix 、三星、美光等國際DRAM大廠已開始停機轉換產能,據集邦科技報價,11日128Mb DRAM顆粒現貨價上漲6%幅度,站上3.5美元價位,256Mb DRAM現貨價則小漲2%來到6.3美元
DDR身價看漲 (2002.07.05)
256MB DRAM模組價格4日升破40美元,加上大陸廠商來台掃貨,並鎖定DDR DRAM(倍速資料傳輸動態隨機存取記憶體),使DDR DRAM現貨價單日上漲達一成,今年首度超越合約價,第三季波段行情展開
DRAM價格又降 (2002.06.11)
所羅門美邦最新發表的亞太地區DRAM雙週報指出,個人電腦(PC)與DRAM需求,在八月之前不容易出現強勁上揚,因此,預料DRAM合約價與現貨價之間的溢價以及256Mb DRAM與128Mb之間的溢價,雙雙將持續滑落
力晶12吋廠總投資額達16億美元 (2002.05.14)
力晶半導體對外表示,該公司十二吋晶圓廠總投資金額達16億美元,預計六月底以0.13微米試產256Mb DRAM晶片,年底則將以1萬5000片月產能量產。力晶半導體總經理蔡國智表示
DRAM五月上旬恐將跌破4美元 (2002.05.03)
因第二季市場需求低迷,產業前景也仍無法有效掌握,再加上美光與 Hynix的合作案破局,已引發了現貨市場恐慌性賣壓與跌價壓力,因此市場上已預期五月上旬合約價應守不住4美元整數關卡
DRAM革新 盼能力挽狂瀾 (2001.08.16)
為了尋求更大的市場,並且穩住DRAM的價格,各廠商致力推出新貨,期盼市場能給予回應。業者指出,256Mb DRAM及128Mb DDR(倍速資料傳輸)DRAM,可望在明年取代128Mb DRAM,成為市場主流產品
美光、憶恆無意減產DRAM 售價持續低迷 (2001.07.19)
近期國內動態隨機存取記憶體(DRAM)業者與美光科技及億恆科技(Infineon)兩大半導體廠接洽,希望能減產、調節市場供需;但二大半導體並不打算減產,反而決定利用這波DRAM售價下殺,聯手逼部分DRAM廠出局
南韓記憶體廠改攻高階晶片 (2001.07.11)
南韓商工部週二表示,為了維持半導體出口持續成長,將鼓勵南韓半導體業者轉向高效能晶片與非記憶體晶片發展。預計,南韓兩大記憶體晶片製造商,三星電子與Hynix半導體的128MB DRAM與256MB DRAM的產出比重將大幅上升
晶豪陳興海:未來DDR、RDRAM及SDRAM三強鼎力 (2001.06.19)
面對景氣不振,國內記憶體大廠晶豪科技總經理陳興海表示,不排除128Mb SDRAM價格有破兩美元的可能,主因是需求雖有增加、但供需不平衡情況仍嚴重。另外,陳興海認為,在英特爾力拱之下,未來Rambus DRAM、DDRDRAM與SDRAM將呈現三強鼎立的局面
256Mb DRAM主流態勢不可檔 (2001.06.11)
全球主要動態隨機存取記憶體(DRAM)廠商已開始投入256Mb DRAM,三星、美光、Hynix公司目前256Mb DRAM占總出貨量的20%,估計今年第四季比重拉到50%。茂矽表示,256Mb DRAM逐漸進入桌上型電腦市場,成為主流
力晶成功試產0.18微米製程256Mb SDRAM及DDR SDRAM (2001.03.09)
新竹科學園區廠商力晶半導體公司日前宣布,該公司已試產成功0.18微米製程的256MbSDRAM,且將同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速資料傳輸記憶體)產品並進行驗證,預計第二季投產,初估至年底月出貨量可接近百萬顆


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