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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展，並加入人工智慧（AI）普及化、節能減碳等熱門議題引發關注，意法半導體（ST）也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽（SiC）等高效解決方案，探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色，使其更易於普及，讓每個人都能受益 |
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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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意法半導體公布第三季財報 業市場持續疲軟影響銷售預期 (2024.11.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）公布依照美國通用會計準則（U.S. GAAP）編制截至2024年9月28日的第三季財報。意法半導體第三季淨營收達32.5億美元，毛利率37.8%，營業利潤率11.7%，淨利潤為3.51億美元，稀釋每股盈餘37美分 |
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Ansys獲台積2024年合作夥伴獎 助加速 AI、HPC 和矽光子IC 設計 (2024.11.05)
表彰在AI、HPC 和矽光子系統的卓越設計支援方面，Ansys獲 TSMC 2024 年開放創新平台 (OIP) 年度合作夥伴獎。該獎在表揚台積電 OIP 生態系合作夥伴，及其對下一代 3D 積體電路 (3D-IC) 設計和實現的創新貢獻 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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臺歐攜手 布拉格論劍 晶片創新技術論壇聚焦前瞻發展 (2024.10.31)
為促進臺歐半導體技術合作，並因應全球半導體技術快速發展趨勢，國家實驗研究院台灣半導體研究中心（國研院半導體中心）於10月29日至31日，與比利時微電子研究中心（imec）及歐洲IC實作中心（Europractice）於捷克布拉格共同舉辦「臺歐晶片創新技術論壇」 |
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豪威集團與飛利浦合作開發車內駕駛健康監測解決方案 (2024.10.30)
豪威集團和飛利浦在西班牙巴塞隆納Palau de Congressos舉行的AutoSens Europe展會上，聯合展示全球首款車內連網健康監測解決方案的原型。
車內健康福祉系統能夠即時監測生命徵象，如脈搏和呼吸頻率 |
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2024.11(第396期)大眾與分眾顯示 (2024.10.29)
顯示應用持續不斷的發展，一方面持續提升在室內外公共領域的顯示極限，為大量的群體提供資訊服務，但另一方面，也朝著分眾化的方向精準滿足多元需求發展。
在大眾市場 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計，用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用 |
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AI伺服器驅動PCB材料與技術革新 (2024.10.28)
目前台灣PCB產業除了積極轉型智慧製造節能以減碳之外，還須善用2024年上半年仍受惠於AI需求帶動出口好轉的契機，驅動AI伺服器供應鏈加工技術與材料革新開源，成為確保PCB產值能穩定成長的關鍵 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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化合物半導體設備國產化 PIDA聚焦產業鏈發展 (2024.10.27)
為推動化合物半導體設備國產化，經濟部產業署委託金屬中心及光電協進會(PIDA)，於10月24日在台北南港展覽館舉辦「化合物半導體設備產業的前瞻未來」研討會。
研討會邀請穩晟材料、台灣鑽石工業、蔚華科技、致茂電子及台灣彩光科技等業界專家 |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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PIDA矽光子異質整合研討會 聚焦未來應用商機 (2024.10.24)
「矽光子異質整合技術應用商機研討會」日前於台北世貿南港展覽館舉行。本次研討會由財團法人光電科技工業協進會 (PIDA)主辦，邀請國際矽光子異質整合聯盟(HiSPA)、台灣光電暨化合物半導體產業協會(TOSIA)、荷蘭在台辦事處等單位，以及產學專家，共同探討矽光子異質整合技術在光通訊、光學感測和LiDAR等領域的應用前景 |
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鍺：綠色回收與半導體科技的新未來 (2024.10.24)
鍺的環保回收值得關注，特別是從電子廢棄物中回收鍺，提高回收率並降低成本，減少資源浪費降低環境負荷。此外，鍺近來在半導體先進製程中扮演要角，無疑也是一個值得重視和推進的方向 |
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Ansys、台積電和微軟合作 提升矽光子元件模擬分析速度達10倍 (2024.10.23)
Ansys 台積電和微軟成功試驗，大幅加速矽光子元件的模擬和分析。Ansys 與台積公司共同透過微軟 Azure NC A100v4 系列虛擬機器，在 Azure AI 基礎架構上執行的 NVIDIA 加速運算，將 Ansys Lumerical FDTD 光子模擬速度提升超過 10 倍 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體，為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化矽（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高電源效率並降低待機功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，為擴展電源IC產品組合的最新成員。 NEX806/8xx和NEX8180x專為諸如供電（PD）充電器、適配器、牆壁插座、條形插座、工業電源和輔助電源以及其他需要高功率的AC/DC轉換應用等設備中的以GaN為基礎的反激式轉換器而設計 |
