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台灣AI關鍵元件的發展現況與佈局 (2024.06.13)
就人工智慧(AI)裝置的硬體來看,關鍵的零組件共有四大塊,分別是邏輯運算、記憶體、PCB板、以及散熱元件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角,更是使用者體驗能否優化的重要輔助
下一個自動化時代 新網宇實體系統正面影響力 (2022.05.25)
工業發展的驅動力為何? ST突破感測器、人工智慧、通訊等領域的技術,以創新的網宇實體系統開啟下一個自動化時代。
低價刺激消費需求 SSD強勢躍居主流 (2019.06.10)
2019年似乎是購買SSD的絕佳時機,市場開始轉向QLC NAND,而採用96層的3D NAND架構也可有效提高密度,並降低成本。接下來容量更高的消費型SSD將變得更為普遍。
QLC強勢躍居主流 2019年SSD價格將再現新低點 (2019.05.21)
在近期,所有關於固態硬碟(SSD)的消息大多是正面且令人雀躍的,隨著時間來到2019年,價格下調和產能增加,可能都是今年SSD會持續的趨勢。目前至少有一家製造商(如WD/Sandisk)似乎正透過調整生產策略來應對價格下跌的影響,而我們也看到許多分析師預測2019年SSD價格可能下跌超過50%
研發存儲級記憶體! 旺宏與IBM續攻相變化記憶體技術 (2018.12.25)
旺宏電子(Macronix)董事會昨日決議通過,將與IBM簽訂合約,繼續進行「相變化記憶體(PCM)」的合作開發。雙方將共同分擔研發費用,為期3年,合約計畫期間為明年1月22日至2022年1月21日
旺宏電子3D NAND記憶體等四篇論文入選2017 IEDM (2017.11.29)
旺宏電子今日宣布,今年計有四篇論文入選國際電子元件大會IEDM,其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為”亮點論文”(Highlight Paper),是今年台灣產學研界唯一獲選的亮點論文
HGST研究團隊於2015快閃記憶體高峰會展示常駐記憶技術 (2015.09.14)
Western Digital 旗下公司HGST去年展出創記錄每秒300萬I/O的相變化記憶體(PCM),今年將繼續應用此技術並與 Mellanox Technologies合作,展示創新性的記憶體內運算叢集架構。該架構將搭載PCM技術、具備RDMA功能,效能接近DRAM,但總體擁有成本更低且擴充能力更佳
旺宏電子五篇論文入選2013 VLSI技術會議 (2013.06.13)
全球超大型積體電路技術及電路國際會議( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即將於6月11日至14日於日本舉辦。旺宏電子今年共有六篇論文獲選:其中一篇入選電路會議(VLSI Circuits)
如何讓晶片記憶更多?Rice大學和惠普告訴您 (2010.09.01)
有沒有另一種新的半導體技術,能夠在更短的時間內縮小晶片尺寸、又能提高儲存容量?答案正在呼之欲出。美國德州萊斯大學(Rice Univ.)的科學家們與惠普(HP)的研發團隊不約而同地,在這禮拜公佈兩項關鍵技術和合作計畫,宣佈可以克服最基本的物理限制,能夠更快速地將記憶體晶片微型化,他們認為是消費電子晶片的革命性突破
可取代NAND快閃的新記憶體技術問世 (2010.05.20)
Unity半導體公司不斷致力於新記憶體技術的開發,不久前該公司宣佈成功開發一種可取代NAND Flash的新記憶體技術,相信不久以後,NAND Flash為記憶卡和固態硬碟唯一解決方案的局面將出現大幅改變
ST退出快閃記憶體業務 恆憶併入美光科技 (2010.02.11)
意法半導體(ST)今(11)日宣佈,意法半導體、英特爾(Intel)及Francisco Partners三方,與美光科技(Micron Technology Inc.)簽署正式併購協議。根據協議,美光將以全額股票形式收購恆憶控股公司(Numonyx Holding B.V.)
針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體(NVM)技術有望成為未來幾年的參考技術。但是,快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點
恆憶與Intel合作研究PCM技術 獲關鍵性突破 (2009.11.02)
恆憶(Numonyx)與英特爾(Intel)宣佈,相變化記憶體(PCM)研究的關鍵性突破,此項非揮發性記憶體技術結合了現今多種類型記憶體的優點。研究人員也首度展示可於單一晶片堆疊多層PCM 陣列的64Mb測試晶片
恆憶與三星電子共同開發相變化記憶體 (2009.06.26)
恆憶(Numonyx B.V.)與三星電子(Samsung Electronics Co.,Ltd)宣佈共同開發相變化記憶體(Phase Change Memory,PCM)產品的市場規格,此新一代記憶體技術可協助多功能手機及行動應用、嵌入式系統及高階運算裝置的製造商,滿足處理大量內容及資料的平台所需之高效能及功耗需求
恆憶推出新系列NAND快閃記憶體 (2008.12.22)
恆憶(Numonyx)針對無線通訊、嵌入式設計和資料儲存應用推出新系列NAND快閃記憶體產品,持續為業界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM(相變化記憶體)解決方案。新系列產品包括高達32Gb(gigabits)的MLC NAND、32GB(gigabytes)的eMMC和高達8 GB的microSD產品,均採用先進的41奈米製程
革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能,短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守,長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力(Scalability)、儲存覆寫次數耐久性(Endurance)和資料保存能力(Data Retention)的侷限,使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵
97年科專計畫優良成果聯合表揚 (2008.07.10)
一年一度經濟部科專家族盛會「科專優良成果表揚活動」以「創新科技、領航國際」為主軸,於7月10日至11日假台大醫院國際會議中心2樓擴大辦理成果展示及聯合頒獎典禮
Numonyx現身Computex 鎖定台灣嵌入式市場 (2008.06.04)
充滿話題性的恆憶(Numonyx)記憶體公司也在今年的Computex展上現身,除了正式向台灣宣布其成立消息外,同時也點明其在台灣的業務策略。未來Numonyx將主攻嵌入式應用市場,積極進入有線通訊業、汽車業、消費電子產業、製造業及電腦資訊業等領域
Computex 2008展後報導 (2008.06.03)
全球第二大資訊展「Computex Taipei 2008」於6月6日圓滿落幕。今年的展會首度啟用南港展覽館,並與信義館同步展出,有1725家廠商參展,共4492個攤位,較2007年成長了53%。此外
VLSI WEEK 25周年 後CMOS時代為議題主軸 (2008.04.22)
走過1/4世紀的VLSI WEEK於4月21日在新竹國賓飯店開幕,由工業技術研究院及國際電機電子工程師學會共同主辦,一連舉行5天。VLSI是國際上引領全球、最先進的半導體及系統晶片國際學術會議之一


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