在高速成長的非揮發性記憶體（NVM）市場的推動下，十年來，世界上出現了幾項具有突破性的記憶體技術，將業界舊有標準淘汰出局，並擴大了快閃記憶體技術的應用領域[1]。目前一般業界認同任何一項技術如果取得成功，就會在未來十年內變為產品。業界現階段也針對兩大類全新的非揮發性記憶體進行了實際應用的研究，其中一類是基於無機材料的記憶體技術，如鐵電記憶體(FeRAM)、磁阻記憶體(MRAM)或相變化記憶體(PCM)，另一類記憶體技術則基於有機材料，鐵電或導電開關聚合物。值得注意的是，眼看這個十年就要結束，在這些接替快閃記憶體的非揮發性記憶體當中，只有相變化記憶體具備進入廣闊市場的能力表現，被視為下一個十年的主流記憶體技術。