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瑞薩成功開發「鰭狀MONOS快閃記憶體單元」 (2017.02.03)
適用於16/14奈米以上製程節點的高效能、高可靠性微控制器 瑞薩電子(Renesas)宣佈成功開發全球首創採用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽(SG-MONOS)快閃記憶體單元，適用於電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)製程，且其中晶片內建快閃記憶體
瑞薩與台積電合作開發車用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術，以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品，2020年開始量產
瑞薩電子開發28奈米嵌入式快閃記憶體技術 (2015.05.15)
瑞薩電子（Renesas）宣布已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術是針對採用28奈米（nm）嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器（MCU）所設計


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